就在昨天，世纪金芯宣布了一则喜讯——他们实现了8英寸SiC关键技术突破。综合《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》数据和最新进展来看，截止目前，全球已有29家企业实现了8英寸SiC单晶生长的研发突破，其中包括19家中国企业。
4月9日，世纪金芯半导体有限公司宣布，基于设备、工艺、热场、原料、结构设计等多方面的长期技术积累，突破了8英寸SiC关键技术，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。
数据方面，他们开发的8英寸SiC单晶生长技术可重复生长出4H晶型100%、直径大于200mm、厚度超过10mm的晶体。通过进一步优化工艺，预期世纪金芯的8英寸SiC晶锭厚度将达到20mm以上。
在工艺方面，世纪金芯通过模拟优化、实验设计、开发新结构、新技术（包括籽晶预处理粘接、低应力生长结构设计及工艺）等，获得了低缺陷8英寸SiC单晶，为8英寸晶体量产打下了重要基础——世纪金芯8英寸SiC加工线已同步建成，在2024年2月正式贯通并进入小批量生产阶段，在8英寸SiC衬底量产方向更进一步。
在8英寸SiC合作方面，世纪金芯还与中国台湾HY、JJ、韩国GJ实验室、SX等公司进行产品验证，与日本FG等单位进行8英寸衬底片的产品验证。
值得一提的是，在2024年以来，国内还有2家企业在8英寸SiC研发上取得突破：
● 2024年3月，通威微电子有限公司正式加入第三代半导体产业技术战略联盟，并透露了8英寸SiC的研发进展——已成功研发出8英寸导电型SiC晶体及衬底片，正在进行送样验证。
● 2024年2月6日，平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶，全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
8英寸SiC已是必然之势，国内厂商在攻克大尺寸SiC晶圆的势头值得我们关注与期待。旨在为行业搭建深度交流的平台，今年6月14日，“行家说三代半”将在上海举行“汽车&光储充与SiC技术大会”，届时论坛将全程围绕行业热点问题和最新SiC研究成果进行讨论，同时还将聚焦新能源终端应用技术，欢迎点击下方的“阅读原文”了解更多信息。
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