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如今，为抢占这一新机遇，不少碳化硅企业正在谋篇划局。“行家说三代半”发现，近期又有两家企业披露了其在嵌入式SiC模块方面的最新进展，分别从封装技术与埋嵌工艺两方面推进布局，详情请看：
派恩杰半导体11月12日宣布，他们已推出嵌入式封装。据介绍，这一封装方式是将芯片表面的电极通过盲孔垂直引出并分布在顶部多层电路，具体带来五点性能优势，分别是低寄生电感核心、低结温、高功率密度、高通流能力、高设计自由度。
尤其是高流通能力方面，该封装结构能够有效降低顶层互联结构的寄生电阻，减少线路发热。同时，其顶层铜电路提供较大散热面积，进一步提升散热性能，从而增强模块整体电流承载能力，更适配SiC MOSFET对高电流密度的要求。
派恩杰半导体还指出，该封装采用类PCB加工工艺，支持并行批量加工、自动化生产及工艺标准化，有助于提升产能并降低成本。基于此，派恩杰还推出了嵌入式功率模块解决方案。通过取消键合线将模块尺寸大幅缩减至不足银行卡一半，驱动回路寄生电感低至1.5nH，功率回路寄生电感仅为3nH。
此外，派恩杰还可提供表面镀铜芯片，以拓展应用场景。下一代嵌入式模块将搭载该芯片，进一步减小厚度并优化成本。
官微显示，派恩杰半导体已推出覆盖650V至1700V电压平台的100余款碳化硅器件与模块，广泛应用于电动汽车、工业电源、光伏储能等领域，并为Tier 1客户稳定供货，产品品质与供应能力广受认可。
近日，世运电路公司宣布投资15亿元建设“芯创智载”新一代PCB制造基地，设计年产能达66万平方米，重点生产芯片内嵌式PCB产品和高阶HDI电路板。
报道显示，芯片内嵌式PCB封装本质上是一种半导体封装技术。与传统PCB仅作为电路承载层不同，该技术通过将芯片、电感等元器件直接嵌入PCB内部，突破了传统功能边界，可实现更短连接路径、更优热管理及更高系统可靠性。
对此，世运电路首席科学家林挺宇博士指出，碳化硅埋嵌方案将逐步取代IGBT，成为新能源汽车和储能系统的主流方向，而埋芯工艺正是这一技术路线的关键一环。
世运电路产品及技术负责人刘艳则介绍道，为加速产业化进程，“芯创智载”项目计划于2026年中正式投产。其中，芯片内嵌式PCB年产能规划为18万平方米，高阶HDI电路板为48万平方米。
目前，“芯创智载”系列产品已在新能源汽车三电系统中完成应用验证，未来还将在新能源汽车、数据中心、高功率通信设备、人形机器人、储能及航空航天等领域展现出广阔的应用前景。这也进一步表明，嵌入式SiC模块的技术路径逐渐清晰，并正通过产业链上下游的协同创新，加速其规模化应用的到来。
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本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。