超500位产业精英集结，洞见SiC发展新趋势

直击现场

SiC衬底位错无损检测技术助力晶圆良率预测与产业链降本增效

创锐光谱总经理陈俞忠分享了《SiC衬底位错无损检测技术助力晶圆良率预测与产业链降本增效》主题报告，重点分享创锐光谱在碳化硅衬底位错缺陷光学无损检测技术上取得的突破。

目前针对SiC材料端的检测，创锐光谱已推出SiC衬底位错无损检测设备、SiC晶锭无损检测设备和SiC外延少子寿命成像设备。其中衬底位错无损检测设备可实现TSD、TED、BPD的一次全检，检测通量4-5WPH，满足量产测试的条件，更可通过检测结果，预测及提升后道晶圆良率，为整个SiC产业链降本增效提供了关键的技术支撑。

大尺寸碳化硅进展和应用

浙江晶瑞营销总监毛智敏在大会上发表《大尺寸碳化硅进展和应用》主题演讲，重点分享了浙江晶瑞突破大尺寸碳化硅衬底关键技术的最新进展。

据介绍，浙江晶瑞已经推出12英寸导电型SiC晶体、8英寸导电型SiC晶片、8英寸光学级SiC晶片等多款产品，其中12英寸导电型SiC产品各项技术指标已达行业先进水平，具备高热导率、高击穿电场和高电子饱和速度等优势；8英寸光学级SiC晶片凭借高折射率、低色散和高热导率，在提升显示效果、减轻产品重量的同时能有效解决散热问题。

新产业格局下，SiC衬底与外延市场的思考及展望

针对SiC衬底与外延产业环节产生的新变化，行家说Research研究副总监方晖分享了《新产业格局下，SiC衬底与外延市场的思考及展望》报告，提出了其对产业趋势的新见解。

他认为，近几年来，SiC衬底行业开始进入“中国”时刻，6英寸SiC衬底出货量合计产能处于全球领先地位，同时在8英寸和12英寸SiC衬底方面也实现了全球领先。另一方面，受益于SiC晶圆需求增长拉动，SiC外延片的出货量也在大幅增长，未来随着应用场景的持续拓宽，SiC衬底&外延将迎来更广阔的市场空间。

后·宽禁带时代下功率器件走向

针对SiC功率器件的发展走向，利普思产品高级经理吕俊彬带来《后·宽禁带时代下功率器件走向》主题演讲，并提出深刻见解。

吕俊彬经理聚焦行业核心关切，深入解读下一个五年，利普思作为独立功率模块企业应对技术变革的战略思考与实践路径。值得关注的是，利普思产品出口超过15个国家，已经推出LPP系列、HPD、Easy、SOT227等SiC模块产品，并已获得北美知名新能源汽车Tier1项目定点。

LoongSpeed RugSiC-下一代新型SiC功率器件

华太电子应用部经理王畅畅具体讲解了《LoongSpeed RugSiC-下一代新型SiC功率器件》报告，分享了他们在SiC功率器件上的最新进展。

会议现场，王畅畅经理深入解析了其RugSiC技术在高压、高频应用中的显著优势。他通过详实的性能对比与应用案例表明，该技术凭借其在比导通电阻等方面的优异特性，有望为未来电力电子系统开辟新应用场景，并为碳化硅技术的发展提供新思路。

Bosch SiC Technology - Ensuring Efficiency, 

Robustness, and Long-Term Safety

博世功率电子技术专家—Beushausen Steffen发表《博世碳化硅技术—赋能高效能、高可靠性与长期安全性》主题演讲，讲解了博世在碳化硅技术上的最新突破。

据介绍，凭借逾20年的碳化硅经验，博世提供从裸片、MOSFET、功率模块到集成解决方案的全方位产品组合，目前博世还推出双通道沟槽MOSFET技术，通过优化栅氧化层保护与工艺控制，实现了低失效率和极小栅压漂移，显著提升了器件在高压汽车应用中的长期可靠性。