科技牛产学研+互联网平台将长期提供新材料、新能源、智能装备、新一代信息技术等领域的科技成果。关注科技牛，每天向您推荐最新科技消息！
随着半导体材料及工艺的进步，锗因其较高的电子和空穴的迁移率且可与硅工艺兼容等优势，被认为是未来超大规模集成电路工艺中硅最有利的替代者。镍与锗反应生成的锗化物较纯净，但是，在镍和锗发生合金化反应中，很难形成单一、均匀的镍锗薄膜。
本发明提供了一种新的生成NiSiGe材料的方法，采用改变金属淀积层成分来调节合金化反应的进程，通过磁控溅射方法在SiGe表面生长NiTi合金薄膜，通过一定退火工艺，形成了高质量的NiSiGe薄膜。
本发明较之传统方法具有两方面特点：
(1) 生成较为稳定的金属硅锗化物；
(2) 生成的NiSiGe与对照样品相比更加平整。
本工艺相对简单，无需增加额外工艺步骤，适用于微电子、光电子器件的接触区域；特别是更小尺度下，平整的界面带来良好的接触性能，提升了器件的电学性能，适合定位于半导体材料、器件研发和表征等。
合作方式：技术转移，产学研合作等。
价格：面议
联系方式：长按扫描二维码，填写您的需求
点击下方“阅读原文”填写技术需求表 ☺
往期分享
往期活动
科技成果
END