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随着纳米技术的迅猛发展，一维纳米材料如纳米线因其独特的物理和化学性质，在光电子器件、传感器、能量存储与转换等领域展现出巨大的应用潜力。二氧化硅（SiO2）作为一种重要的无机材料，具有优异的绝缘性、化学稳定性和生物相容性，是纳米线制备的理想选择。然而，传统制备方法往往存在成本高、工艺复杂、产物形貌不均一等问题，限制了二氧化硅纳米线的广泛应用。因此，开发一种简单、高效、可控的二氧化硅纳米线制备方法显得尤为重要。
图：实例制备得到的SiO2纳米线的扫描电镜图
图：实例制备得到的SiO2纳米线的光致发光谱图
技术优势、效果指标
本技术采用氨水水热法制备SiO2纳米线，工艺简单，克服了以往制备SiO2纳米线的方法或复杂、繁琐或危险性高的缺点，有利于规模化生产；原料成本低廉且可反复使用，环保无污染。制备的SiO2纳米线直径均匀，长径比高，具有良好的蓝光发射特性，适用于光显示和光电子器件领域。
科研成果具体应用在荧光材料，近场扫描光学显微镜，纳米材料制备，光显示，光电子器件领域。
合作方式：技术转移，产学研合作等。
价格：面议
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