01 项目背景
SOI(Siliconon Insulator)材料是一种具有耐高温、低功耗、抗辐射、高集成度等独特优势，能突破硅材料与硅基集成电路限制的新型硅基集成电路材料，被国际上公认为21世纪的新型微电子材料。但是在SOI材料的制备中，相关国产化装备和技术是国内急待解决的关键问题。
02 成果简介
根据SIMOX/SOI技术的要求，课题组分析了SIMOX技术相关的关键装备-强流氧离子注入机等国产化装备中存在的缺陷，通过系统研究，解决了国产化强流氧离子注入设备中由于大剂量离子注入引起的金属杂质沾污、表面单晶硅层和二氧化硅埋层厚度均匀性、表面硅层缺陷密度高等问题，使SOI材料表面的金属杂质沾污降低了三个数量级。这些技术成功地解决了长期制约国内强流离子注入机发展的关键设计与生产技术，使中国强流离子注入机的整体设计技术、关键部件研制生产、整机调试等技术有了很大提高，达到了国际先进水平。相关技术已经申请了中国发明专利。相关技术申请了美国和中国的发明专利并已经获得一项中国专利的授权和国家新产品证书。利用国内技术，完成的大直径SOI材料国产化装备及相关工艺的研究，在强流离子注入机等装备的国产化技术方面达到了国际先进水平，材料制备的工艺技术也达到国际水平。
03 合作方式
合作方式：技术许可、转让、入股
价格：面议
联系方式：13788944330
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