01 项目背景
对不同生长条件下SiC单晶生长的温度场进行了模拟，以此为依据设计了适合于大直径SiC单晶生长的坩埚和保温材料。
02 成果简介
结合晶体生长理论，优化了单晶生长的籽晶温度、温度梯度、生长室压力等工艺参数，获得的SiC单晶直径达到50至55mm。通过优化生长工艺，如成核、生长温度、生长速度等工艺参数，与在生长过程中引入掺氮条纹相结合，使SiC单晶中的微管密度达到低于100个/平方厘米。碳化硅单晶的加工工艺的瓶颈已经突破，形成了从切割→粗研磨→精研磨→粗抛光(机械抛光)→精抛光(化学机械抛光)的一整条工艺流程。切割出的SiC晶片的最小厚度可以达到200μm，翘曲度小于30μm，厚度不均匀度小于20μm。经过研磨和抛光，得到平整度小于25μm、粗糙度小于5nm、无明显表面缺陷的SiC单晶片。
03 合作方式
合作方式：技术许可、转让、入股
价格：面议
联系方式：13788944330
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