随着台积电正式推出2纳米（N2）工艺，其在先进半导体制程领域的领先地位将进一步巩固，短期内领先于三星和英特尔。 据《国际电子商情》姊妹平台《EETimes》援引分析师观点，台积电的首批2纳米客户涵盖英伟达、苹果、AMD、高通等主流芯片设计企业，以及微软、
亚马逊、谷歌等大型数据中心运营商。2025年12月下旬，台积电宣布N2工艺进入量产阶段，标志着其首次采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管技术。相较此前FinFET架构，N2在性能、功耗和芯片密度方面实现全面升级，并集成低电阻重分布层与超高性能金属-绝缘体-金属（MIM）电容器，显著提升整体效能。
台积电持续领跑先进制程
台积电强调，N2工艺将在芯片能效与集成密度方面引领行业。公司表示：“通过持续的技术优化，N2及其衍生节点将进一步巩固我们在先进制程领域的领导地位，并将这一优势延续至未来。”
图1：台积电位于中国台湾的Fab 20和Fab 22工厂将率先投产2纳米制程 图片来源：台积电
IBS首席执行官Handel J
ones指出，尽管台积电计划于2028年在
美国部署部分2纳米产能，但其核心先进制程产能仍将集中于中国台湾。这一布局已引发美国政府对供应链安全的关注。 TechInsights副董事长Dan Hutcheson表示，台积电N2芯片有望成为其最成功的产品之一，目前已有超过15家客户开展相关研发，明确表达兴趣的企业包括苹果、英伟达、谷歌、博通、Marvell、AMD、英特尔和联发科。 分析师普遍认为，尽管单颗先进芯片设计成本可达8亿美元，但相比每年高达200亿至300亿美元的晶圆制造支出，设计投入仅占较小比例。因此，客户更关注代工厂能否稳定交付高良率产品。在此背景下，台积电凭借成熟的技术路线与充足产能，持续赢得高端客户信任，而三星与英特尔在先进节点量产上仍面临挑战。
竞争对手进展与市场格局
英特尔于2024年10月宣布其18A GAA工艺进入量产，用于生产Panther Lake和Clearwater Forest处理器，工厂位于亚利桑那州Fab 52。尽管原计划2025年初量产并推出产品，但实际进度略有延迟。独立分析师Mike Demler认为，随着工艺逐步成熟，英特尔有望吸引部分新代工客户。 三星虽于2022年全球首家导入GAA技术，但在AI处理器等3D芯片应用中遭遇良率与性能瓶颈。Demler指出，台积电N2虽未搭载英特尔18A所具备的背面供电技术（BSPDN），但将在后续的2NP、1.6纳米及1.4纳米节点中逐步引入相关改进，构建未来三到五年的技术优势。 Hutcheson认为，尽管N2在
速度与功耗优化上表现突出，但相较前代N3E工艺，其晶体管密度提升有限，尚需观察SRAM与高电流模块的实际运行表现。
竞争格局多元化趋势显现
目前，台积电占据全球90%以上的尖端芯片代工份额，整体市场占有率超70%。DGA集团中国及技术政策负责人Paul Triolo指出，地缘政治、供应链安全与多源供应需求正推动市场格局变化。 英特尔若能确保18A工艺稳定量产并完善生态系统，有望在高性能计算、主权定制芯片及特定网络/ASIC市场获得份额，如AWS类项目即是典型应用场景。三星则可通过其美国工厂提升产能冗余，满足苹果、特斯拉等客户对第二供应商的需求。 日本初创企业Rapidus亦成为潜在变量，计划于2027年实现2纳米量产，可能吸引重视供应链自主的日本及亚洲客户共同开发定制化节点。 Triolo强调，台积电通过推迟GAA导入至N2节点，并配合客户流片优化与良率爬坡策略，有效规避了类似三星早期GAA工艺的风险。真正验证N2成功的关键在于：2026年前能否实现移动与高性能计算产品的稳定出货、良率可控及产能稳步扩张。 他总结称：“基于台积电过往的执行力，其大概率将在2026年克服初期挑战。寄望其出现重大失误以让出市场机会，并非明智之选。”
