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花旗警告，2026年全球将面临存储芯片“严重供应短缺”。
据追风交易台信息，花旗在其最新展望中展现出比野村证券更激进的看涨立场。受AI Agent（人工智能代理）普及及AI CPU内存需求激增驱动，存储芯片价格有望在2026年出现大幅上涨：DRAM平均售价（ASP）预期涨幅由53%上调至88%，NAND由44%上调至74%。
定价权完全向卖方倾斜
花旗明确指出，2026年商品存储器市场将出现“严重的供应短缺”。该短缺并非短期扰动，而是由结构性数据增长所驱动。DRAM ASP同比增速预期从+53%大幅上调至+88%。
服务器DRAM表现尤为突出。受AI训练与推理需求双重拉动，花旗预计其2026年ASP同比暴涨144%（此前预测为+91%）。以主流64GB DDR5 RDIMM为例，预计2026年第一季度价格达620美元，环比增长38%，显著高于此前预测的518美元。
在NAND领域，花旗同样大幅上调预期，2026年ASP增长预期由+44%升至+74%，其中企业级SSD ASP预计同比增长87%。分析师认为，市场将进入极度卖方主导阶段，定价权集中于三星等头部厂商。
基于上述价格预期，花旗大幅修正三星电子盈利预测：2026年营业利润（OP）预计达155万亿韩元，同比激增253%，远高于此前预测的115万亿韩元；目标价由此从17万韩元上调至20万韩元。
野村的“超级周期”与花旗的“极端短缺”
野村此前提出“三重超级周期”（DRAM、NAND、HBM），预测2026年全球存储市场规模将达4450亿美元，同比增长98%。
但在价格涨幅判断上，两家机构存在显著分歧：野村预测DRAM涨46%、NAND涨65%，而花旗对DRAM的88%涨幅预测几乎是野村的两倍。
分歧核心在于对需求驱动力的理解差异——野村侧重AI服务器与通用服务器“双重共振”及HBM4产能爬坡；花旗则进一步强调AI Agent带来的增量数据爆炸，进而对通用服务器内存提出更陡峭的需求拉升。
洁净室短缺成为长期瓶颈
供应端物理限制是价格失控的另一关键原因。
野村指出，全球存储行业扩产正受制于“洁净室”（cleanroom）资源严重短缺。即便厂商即刻启动扩产，受限于洁净室交付周期，2027年中期前实质性供应增长极为有限。
此外，技术升级（如向1C纳米制程过渡）将导致晶圆产能减少10%–15%，且初期良率偏低。供需错配加剧，构成花旗DRAM价格翻倍式上涨预测的根本逻辑。