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当前，全球科技竞争日趋激烈，存储芯片作为数字经济时代的核心基础设施，其自主可控具有重要的战略意义。当一家DRAM龙头企业走向资本市场，“国产存储”第一次不再只是口号，而成为一条可被审视、被定价、被长期跟踪的产业路径。
“国产存储第一股”的带动作用
近日，长鑫科技集团股份有限公司正式向上交所提交科创板上市申请并获受理。作为科创板IPO预先审阅机制试点落地后的首单项目，这家成立近九年、肩负国家存储芯片自主化使命的企业，正加速迈向资本市场。
公司计划募资295亿元，有望成为科创板开板以来募资规模第二大的IPO。资金将重点投向三大领域：130亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造；75亿元投入DRAM存储器技术升级；90亿元专项支持前瞻技术研发。
在DRAM行业，规模效应与技术领先缺一不可。长鑫科技的上市不仅关乎自身发展，更将激活整个国产半导体生态链。上游设备厂商如北方华创、中微公司，材料企业如安集科技、雅克科技，以及封测与模组环节的深科技、江波龙等均与其深度合作。随着产能扩张和技术迭代，这些配套企业有望获得持续订单，形成龙头牵引、链条协同的良性发展格局。
从0到1的国产DRAM突破
DRAM是技术壁垒最高、资本最密集的存储芯片领域，长期由三星、SK海力士和美光垄断，合计占据全球超90%市场份额。
2016年，在兆易创新成功上市后，朱一明转向国产空白的DRAM赛道，并在合肥政府支持下创办长鑫科技，开启技术攻坚。合肥当时正打造“IC之都”，政企协同推进项目落地。
2018年，朱一明辞去兆易创新总经理职务，全职出任长鑫存储及长鑫科技CEO。2019年，公司推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现中国大陆DRAM产业“从0到1”的历史性突破。
此后，长鑫采用“跳代研发”策略，快速完成四代工艺平台量产。2025年IC China展会上，其DDR5产品最高速率达8000Mbps，颗粒容量达24Gb；LPDDR5X移动端内存速率高达10667Mbps，容量达16Gb，整体性能跻身国际第一梯队。
目前，长鑫科技已覆盖DDR、LPDDR主流系列，产品应用于服务器、移动设备、PC及智能汽车等领域。据Omdia数据，按产能和出货量统计，公司已成为中国第一、全球第四大DRAM厂商，2025年第二季度全球销售额份额达3.97%，打破外资垄断格局。
巨亏背后的资本博弈与业绩反转
技术突破伴随巨额投入。招股书显示，2022年至2025年上半年，长鑫科技累计亏损达408.6亿元。其中2022年亏损83.3亿元，2023年亏损163.4亿元，2024年亏损71.4亿元，2025年上半年亏损23.3亿元。
亏损主因在于行业重资产特性——新建一条DRAM产线投资超百亿美元，叠加制程升级带来的研发、厂房与设备成本攀升。2022至2024年，公司研发投入达152.1亿元，占累计营收的36.60%；2025年上半年研发费用率高达23.71%，约为三星、美光的两倍，SK海力士的三倍。
此外，行业周期波动加剧盈利压力。2022年下半年DRAM进入深度下行周期，价格跌幅近50%，导致存货减值激增。同时，定价权掌握在海外巨头手中，长鑫虽居全球第四，但市场份额仅3.97%，规模效应尚未显现，毛利率远低于对手。
2022至2024年，公司综合毛利率分别为-3.13%、-1.93%和5.58%，2025年上半年提升至13.00%，仍显著低于同期三星（34.89%）、SK海力士（55.39%）和美光（37.65%）。
为支撑研发与扩产，十年间公司完成九次增资、八次股份转让，引入60家股东，涵盖清辉集电、大基金二期、安徽省投等国资，阿里云、腾讯、小米等科技巨头，以及招银国际、人保资本等金融资本，形成多元化股权结构与强大资本协同。
截至IPO前一轮融资，长鑫科技估值已达1500亿元，成为国内存储领域最具价值的独角兽之一。
值得肯定的是，随着行业回暖与产能爬坡，公司业绩已现实质性反转：2024年营收达241.8亿元；2025年1-9月营收达320.84亿元，同比增长近100%；第三季度毛利率升至35.00%，全年预计实现净利润20亿至35亿元，扣非归母净利润28亿至30亿元。
公司表示，若2026年产品均价维持在略低于2025年9月水平且出货稳步增长，有望实现稳健盈利。在全球DRAM供应短缺将持续至2028年的背景下，此次募资将助力其加速工艺升级与产能扩张，进一步缩小与国际巨头差距。
国产存储的生态协同与全球突围
存储芯片具备技术代际连续、资本密集、回报周期长、价格高度周期化、行业集中度极高等特征。以DRAM为例，三星、SK海力士、美光长期占据95%以上市场份额，新进入者需在制程、工艺、资本、供应链、客户验证等维度全面对抗行业霸主。
过去十多年，中国半导体在逻辑芯片设计、模拟/功率器件、成熟制程代工等领域取得进展，但在DRAM领域始终处于“无人区”。如今，长鑫科技启动上市进程，标志着国产存储首次跨过生存门槛，进入产业化发展阶段。
这意味着国产DRAM已具备被长期投入、资本定价和产业体系接力的能力。
近两年，存储行业经历极端下行周期，DRAM/NAND价格腰斩，资本开支收缩，行业加速出清。但与此同时，头部厂商趋于理性，供给扩张放缓，技术节奏重新校准，行业正从剧烈波动转向有限竞争下的结构性均衡。
这一变化为国产厂商提供了相对有利的进入窗口。
从需求端看，中国是全球最大存储芯片市场。2024年全球DRAM市场规模达976亿美元，预计2029年将增至2045亿美元，年均复合增长率15.93%。
对长鑫科技而言，下一阶段核心任务是释放规模效应、提升盈利稳定性，在真实市场竞争中实现长期可持续发展。
在先进制程受限背景下，存储仍是少数可长期投入且战略意义突出的方向。中国存储产业已步入必须接受市场、资本与周期三重检验的新阶段。这是一次“成人礼”——从此，国产存储不再仅是“战略正确”，更需在现实中持续证明“长期正确”。