三星与SK海力士拟于2026年Q1大幅上调服务器DRAM价格
三星电子与SK海力士已正式向主要客户提出，将在2026年第一季度对服务器用DRAM产品提价60%至70%，创下近年单季涨幅新高，标志AI驱动的算力基础设施建设正深度重构存储芯片供应链格局。
涨价动因：AI需求激增叠加产能结构性偏移
生成式AI爆发显著拉升高性能计算硬件需求。英伟达H200、AMD MI300X等AI加速平台对内存带宽与容量要求提升，不仅带动HBM订单增长，也推高DDR4/DDR5服务器DRAM消耗。单台AI服务器DRAM用量约为普通服务器的8倍；北美四大云厂商2026年AI基建总投资预计超6000亿美元，进一步扩大通用DRAM需求缺口。
为匹配高毛利需求，三星与SK海力士正将1α纳米及更先进制程产能大规模转向HBM3E等高端产品线——其晶圆消耗量是传统DRAM的3倍，导致通用服务器DRAM产能被持续挤占。新产线建设周期长达1.5–2年，短期供给难有缓解。
此外，美国2025年底放宽部分高端AI芯片对华出口限制后，中国云服务商及科技企业迅速启动批量采购，加剧全球DRAM产能紧张。
供应策略趋紧：拒签长单、季度议价成主流
面对供不应求局面，两家韩厂已明确拒绝签署2–3年长期供货协议，坚持按季度议价签约，以锁定逐季涨价节奏。谷歌、微软、亚马逊等国际云厂商虽对成本上升表示关切，但因AI部署紧迫性普遍接受本轮调价。部分未提前锁定产能的客户甚至面临交付风险及内部问责，凸显当前DRAM资源的战略稀缺性。
市场与财务影响：股价飙升、盈利跃升
消息公布当日（1月5日），三星电子股价大涨近7.5%，创历史新高；SK海力士涨约3%，带动韩国首尔综指上涨3.43%，同样刷新历史纪录，全球半导体板块同步走强。
研究机构预测，2026年服务器DRAM均价同比涨幅或超140%，Q1为关键拐点。全年DRAM位元供应增速仅15%–20%，而需求增速达20%–25%，供需缺口将持续扩大。
下游终端压力陡增：PC与智能手机等消费电子产品的存储成本占比明显上升，部分品牌已启动提价或配置调整预案。三星与SK海力士2026年营业利润预计将分别达155万亿韩元和148万亿韩元，较2025年增长超2.5倍，毛利率有望突破60%，七年来首次超越台积电。
结语：AI驱动下的供应链再平衡
本轮DRAM涨价潮既是AI算力扩张对底层硬件依赖的集中体现，也暴露出全球半导体供应链在高确定性需求下的结构性脆弱与战略博弈。未来数个季度，DRAM价格走势、产能调配逻辑及客户应对策略，将持续成为观察全球科技产业竞争态势的关键窗口。
