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存储大幅涨价，TSMC产能继续紧张...

AI产业链研究

2026-01-05

导读：今天最火的一则新闻是三星、海力士寻求将 DRAM 价格上调 70%，这预示着 2026 年存储短缺仍将是行业常态；而在更上游的晶圆制造领域，台积电无疑持续领跑行业

今天最火的一则新闻是三星、海力士寻求将 DRAM 价格上调 70%，这预示着 2026 年存储短缺仍将是行业常态。

这一波短缺中，最直接受益的无疑是海力士、三星等海外存储巨头。美银在 1 月 5 日发布的报告中，列出了 2026-2027 年 DRAM 周期有望迎来历史最佳表现的五大原因：

AI 相关内存需求增长（以 Rubin Ultra 及新一代 ASIC 芯片为核心驱动力）；
资本开支向高带宽内存（HBM）/ 企业级固态硬盘（eSSD）倾斜，传统内存产能持续收缩；
洁净室空间有限，晶圆产能扩张受阻；
新型内存（1c DRAM、HBM4、SOCAMM、GDDR7、10Gbps 以上 LPDDR5、300 层以上 NAND）良率偏低或生产周期较长；
基础设施建设面临高额资本开支压力（前端设备采购预算收紧）。

美银更新的 2026 年全球 DRAM 销售额预测（2100 亿美元，即便 2025 年已增长 48%，2026 年同比仍将增长 61%），清晰印证了这一超级周期的到来。美银对 2027 年的预测同样显示行业将持续增长（销售额 2310 亿美元，同比增长 10%，假设平均售价仅小幅下滑）。

此外，受平均售价高企带动，美银预计 2026/2027 年 NAND 销售额也将创下历史新高（分别为 1180 亿美元 / 1300 亿美元，2025 年为 790 亿美元）。

其他行业动态方面，富士康发布第四季度财报，数据显示营收同比增长 22.07%，达新台币 2.6028 万亿元（约合 827.3 亿美元）。

富士康表示，今年第一季度信息通信技术（ICT）产品将进入季节性需求放缓阶段，但即便面临第四季度的高基数，AI 服务器机架产品的强劲需求仍有望推动业绩接近过去五年区间的上限水平。

而在更上游的晶圆制造领域，台积电无疑持续领跑行业。高盛 1 月 4 日发布报告，将台积电（TSMC）12 个月目标价从新台币 1,720 元上调至 2,330 元，并将其 2026/2027 年预期盈利上调 9%-15%。

报告指出，高盛认为 AI 将成为台积电的多年期增长引擎，由于Tokens消耗的指数级增长持续推动芯片需求高于供给，预计 2027 年前产能紧张局面仍将持续。在此背景下，高盛预计台积电的营收与资本开支将加速增长，2026-2028 年累计资本开支将超过 1500 亿美元，而生产效率提升及海外工厂的轻微稀释效应，有望支撑其毛利率结构性走高。

2026 年，随着 AI GPU/ASIC 芯片从 5 纳米制程向 3 纳米迁移，AI 仍将是台积电的核心增长驱动力。高盛预计，在产能转换及生产效率持续提升的支撑下，这两大制程节点在 2026/2027 年将保持满负荷运转。高盛现已上调台积电业绩预测，预计其 2026/2027 年美元计价营收同比增速将分别达到 30%/28%（此前预测为 22%/22%）。

基于对 AI 需求的积极判断，高盛将 2026 年台积电资本开支预测微调至 460 亿美元（此前为 440 亿美元），并预计随着新增洁净室逐步投产，2027 年资本开支将显著增长。高盛现已将 2027 年资本开支预测上调至 540 亿美元（此前为 500 亿美元），并预计自 2026 年起的未来三年，台积电累计资本开支将超过 1500 亿美元。

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