【新智元导读】2026年才刚开始，AI正推高消费电子价格
英伟达RTX 5090显卡售价已突破4000美元（约合人民币2.8万元），创历史新高。
英伟达与AMD均计划未来每月持续上调显卡售价。海外用户调侃：“显卡价格已超人生第一辆汽车”“买二手本田思域的钱，只多换15%帧数”。
AI基建狂吸芯片产能，消费级市场成“弃子”
全球科技巨头为建设万亿级AI基础设施，几乎包揽高端内存与芯片产能，引发严重资源挤兑。三星、SK海力士HBM（高带宽内存）及企业级DRAM订单已全面爆满，显卡与消费级内存全线告急。
维基百科已设立词条“2024–2026全球存储短缺”。芯片制造商将产线优先转向高利润AI芯片，压缩面向PC、手机的通用芯片产能，导致消费级市场供应持续收紧。
《金融时报》指出，受芯片短缺影响，2026年智能手机、电脑及家电等终端产品价格或上涨20%。戴尔COO Jeff Clarke坦言：“当前零部件成本涨幅为从业以来最高”，最终成本由消费者承担。联想等厂商亦加速囤货，加剧供应链紧张。
产能瓶颈：HBM吞噬晶圆资源
HBM3E及HBM4需求呈指数级增长，单颗HBM芯片晶圆耗用量约为DDR5的三倍。其TSV堆叠技术复杂（12–16层），良率仅50%–60%，导致单位有效比特需投入数倍晶圆。
每一片用于HBM4的12英寸晶圆，相当于从PC/手机内存供应池中抽走三片DRAM晶圆；在总产能短期内难提升前提下，构成残酷零和博弈。
资本支出倾斜：AI优先挤压传统产线
海力士计划2026年将1c纳米DRAM产能提升8倍，但主要通过拆除DDR4/DDR5旧产线、替换为HBM先进产线实现。其韩国清州M15X晶圆厂提前至2026年2月投产，产能全部锁定英伟达HBM4，对缓解消费级短缺几无帮助。
三星平泽P4工厂正扩建，目标2026年底HBM月产能达25万片晶圆，代价是牺牲传统DRAM产线。2026年传统DRAM供应增长率预计仅约16%，远低于历史均值，难以匹配非AI市场需求。
预付款机制：巨头锁定未来产能
微软、谷歌、Meta等超大规模厂商通过巨额预付款，提前锁定芯片厂未来数年HBM产能。英伟达签署数十亿美元长期协议，确保海力士与美光供应。此举将开放现货市场转为封闭“期货市场”，削弱戴尔、惠普等消费电子厂商议价能力，迫使其在剩余“边角料”产能中竞价，推高现货价格。
内存末日：价格体系崩塌与下游传导
2026年内存危机属结构性短缺，而非周期性波动——由AI无限需求驱动，将终结“性能提升、价格下降”的摩尔红利。
- HBM挤占效应：三星、海力士、美光将超80%先进DRAM晶圆产能分配给HBM；
- 通用DRAM减产：DDR5与手机用LPDDR5产出大幅缩减；
- 恐慌性囤货：OEM厂商于2025年底至2026年初集中备货，渠道库存见底；
- 现货价格暴涨：DDR5模组与GDDR6/7显存颗粒现货价格短期翻倍。
TrendForce预测，2025年Q4 DRAM（含HBM）均价将环比上涨50%–55%。Counterpoint与TrendForce综合研判，2026年DRAM与NAND Flash合约价将上涨40%–60%以上。
DDR5内存条：32GB DDR5套条成本或从2024年约100美元飙升至300美元以上；
SSD固态硬盘：NAND产能同样受AI训练数据存储挤占，2TB/4TB大容量SSD价格终止下行趋势，显著上扬。
显卡危机：DIY市场承压
独立显卡受“吸血效应”冲击最剧烈。RTX 5090零售价或于2026年升至5000美元（约合3.6万元人民币）。
智能手机与PC：BOM成本全面失控
存储芯片（DRAM+NAND）通常占智能手机BOM成本15%–20%，2026年该占比因短缺与涨价显著抬升。以Galaxy S25 Ultra与iPhone 17为例，旗舰机型BOM成本预计上涨15%–20%；SoC制程升级至3nm带动成本再增20%；LPDDR5X内存价格预计涨超40%，单台16GB+512GB旗舰手机仅存储成本即增加30–50美元。
厂商应对：涨价与规格缩水并行
- 直接涨价：安卓旗舰机平均售价（ASP）预计上涨5%–10%；
- 规格停滞：厂商可能取消24GB RAM顶配，Pro机型或维持12GB而非升级至16GB，与端侧AI大内存需求形成矛盾。
PC市场同样承压。“AI PC”概念推广需16GB–32GB内存，但高价内存阻碍普及。IDC预测，2026年全球PC出货量或萎缩9%；入门级产品或维持8GB内存，制约AI功能在平价设备落地。
这形成悖论：AI软件依赖更强硬件，而AI基建却让硬件变得难以负担。2026年标志着消费电子失去芯片产业“主要驱动力”地位，让位于AI基础设施。这不是周期性涨价，而是永久性价值重估——AI巨头获得算力红利，芯片厂获取历史最高利润，普通消费者成为买单方。
