台积电2nm制程正式量产，开启GAA纳米片晶体管新时代
【导读】
台积电2nm（N2）技术已按计划于2025年第四季度投入量产，标志着全球半导体正式迈入2nm时代，环栅（GAA）纳米片晶体管技术首次实现大规模商用。
N2工艺核心优势：性能提升与功耗降低双突破
台积电N2采用第一代纳米片晶体管（nanosheet transistor）技术，相较当前主流的N3E工艺，在相同功耗下性能提升10%–15%，在相同速度下功耗降低25%–30%。
- 性能方面：单位面积晶体管密度提升约20%（N2P版本），支持更复杂逻辑设计与更高集成度；
- 功耗控制：通过GAA结构实现栅极四面环绕通道，显著改善静电控制，大幅减少漏电；
- 供电优化：引入超高性能金属-绝缘体-金属（SHPMIM）电容器，电容密度提升超2倍，Rs/Rc降低约50%，增强功率稳定性与能效。
技术演进：从FinFET到GAA纳米片的物理跨越
过去十年，芯片制造依赖鳍式场效应晶体管（FinFET），但当制程逼近3nm，鳍结构变薄导致漏电加剧，功耗与性能平衡难以为继。
N2工艺采用环栅（Gate-All-Around, GAA）纳米片晶体管，以水平堆叠的纳米片替代竖立鳍片，栅极实现360度全包围控制，从结构根源上解决漏电问题，并提升晶体管密度与开关精度。
量产布局：双基地并行，覆盖手机与AI/HPC双赛道
台积电将N2量产基地设于高雄晶圆二十二厂（Fab 22）及新竹晶圆二十厂（Fab 20），两座全新产线同步扩产，体现其“双线作战”战略。
一方面承接苹果下一代iPhone与Mac芯片等高端移动终端需求；另一方面服务英伟达、AMD等客户的AI加速器与高性能计算（HPC）芯片，对良率与工艺稳定性提出极高要求。
台积电CEO魏哲家表示：“N2进展顺利，已于本季度进入量产，良率良好；预计2026年将在智能手机与HPC/AI双重驱动下加速产能爬坡。”
技术路线图：N2P与A16接力，夯实后摩尔时代根基
N2P作为N2家族延伸，将在2026年下半年量产，进一步优化性能与功耗表现；A16则面向AI/HPC专用，采用超级电轨（Super Power Rail）背面供电技术，同样计划于2026年下半年起量产。
从N2的架构革命，到N2P的持续精进，再到A16的供电革新，台积电已完成GAA世代的完整技术闭环，为消费电子、人工智能、云计算等关键产业提供下一代算力底座。
全球竞争格局：台积电量产落地，三星与英特尔同步推进GAA路线
三星已于2022年6月在全球率先实现3nm GAA工艺量产，成为首家商用GAA技术的晶圆代工厂。
英特尔正于Intel 18A节点导入RibbonFET（GAA晶体管）与PowerVia（背面供电）技术，该节点已于2025年进入早期生产阶段，并于2025年10月公开展示基于18A的Panther Lake客户端处理器晶圆。
