据《日经新闻》报道，富士通将加入由软银集团牵头的下一代存储器研发项目，旨在推动日本在人工智能与超级计算机领域的存储技术发展，重振其全球半导体竞争力。
项目概况与投资计划
软银新成立的Saimemory公司将作为该项目的核心运营主体，协调富士通、理化学研究所等合作伙伴。目标是开发一种性能超越现有高带宽存储器（HBM）的新一代内存技术。
项目计划在2027财年前投入80亿日元（约5120万美元），完成原型研发，并力争于2029财年实现量产。软银将出资30亿日元，富士通与理研共同出资约10亿日元，其余资金预计将由日本政府通过半导体扶持政策予以补贴。
技术路线与合作模式
Saimemory致力于研发存储容量为HBM两至三倍、功耗降低50%、成本持平或更低的新型内存。该技术基于英特尔与东京大学联合开发的垂直堆叠半导体架构，在DARPA支持下研发而成。
该架构采用芯片垂直集成方式，显著提升内存密度并缩短数据传输路径，同时结合东京大学等机构的散热与数据传输优化技术，提升整体性能。
生产方面，Saimemory将专注于芯片设计与知识产权管理，制造环节则外包给新光电气工业和台湾力芯半导体等合作企业。
富士通的角色与产业背景
富士通虽已退出存储器生产领域，但在大规模制造、质量控制及节能CPU研发方面具备深厚积累，其产品广泛应用于日本顶级超算“富岳”等关键系统。
此次参与项目，有助于其整合现有技术能力，拓展数据中心与AI基础设施市场，目标在2027年实现相关产品的实际应用。
行业挑战与发展机遇
当前全球HBM市场约90%由韩国企业主导，日本半导体自给率偏低，面临供应链安全与价格波动风险。随着生成式AI快速发展，预计到2030年日本计算需求将较2020年增长超300倍。
上世纪末，因存储器商品化引发的价格战，日本企业陆续退出该领域。如今AI驱动的算力革命为日本重塑半导体产业地位提供了战略契机。
（来源：编译自日经）