Infineon | D2PAK-7封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2介绍

本视频深入介绍了专为满足工业应用需求而开发的英飞凌第二代高性能1200V CoolSiC™ MOSFET G2，其新特性旨在实现更佳效率、更高功率密度、更好可靠性和更强稳健性，如结-壳热阻值改善了12%，可在200ºC的结温下累计运行100小时，提供额外25ºC的温度裕量。

视频展示了第二代CoolSiC™ MOSFET G2在电动汽车充电解决方案、光伏系统、不间断电源模块以及工业电机驱动器等领域的广泛应用，根据不同应用要求介绍了不同设计策略，比如实现输出更高的功率，或更低的温度，或者提高系统的开关频率，旨在帮助观众更好地理解并选择适合的MOSFET器件。