英飞凌IPAC | CoolSiC™碳化硅直播季第二期将为大家介绍两款将在7月正式发布的3300V高压SiC产品组合系列,一是漏极-源极导通电阻2.0mΩ(25℃条件下),标称电流1000A的模块;二是漏极-源极导通电阻2.6mΩ(25℃条件下),标称电流750A的模块。
两款模块产品均由集成体二极管的SiC MOSFET组成,并通过英飞凌可靠的.XT互连技术置于低电感XHP™ 2封装中。凭借高功率密度、高质量、高可靠性的优势,可以从容应对运行环境要求更为严苛的工业级应用。
6月25日 14:00,我们将为您揭开CoolSiC™MOSFET 3300V的神秘面纱,解读论文、提纲挈领高压碳化硅产品的设计要点。
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深入了解使用全.XT技术的XHP2封装,如何助力高效可靠性的极致发挥
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纯技术干货分享,带您领略CoolSiC™ MOSFET的前沿产品与应用技术
波老师:IPAC常驻主持,负责英飞凌功率半导体产品在轨道交通等应用与技术支持
赵佳:应用工程师, 负责英飞凌功率半导体产品在新能源等应用与技术支持
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