Infineon | 英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件

CoolGaN™ 650V G5晶体管

最新一代CoolGaN™晶体管可直接替代CoolGaN™ 600V G1晶体管，实现了现有平台的快速重新设计。新器件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的开关性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产品系列相比，CoolGaN™ 650V G5晶体管输出电容中存储的能量（E_oss）降低了多达50%，漏源电荷（Q_oss）和栅极电荷（Q_g）均减少了多达60%。凭借这些特性，新器件在硬开关和软开关应用中都具有出色的效率。与传统的半导体技术相比，其功率损耗大幅降低，根据具体使用情况可降低20%-60%。

这些优势使该系列器件能够在高频率下以极低的功耗工作，因此具有出色的功率密度。CoolGaN™ 650V G5晶体管使SMPS应用变得更小、更轻，或在规定外形尺寸的情况下提高输出功率范围。

该新型高压晶体管产品系列提供多种R_DS(on)封装组合。十种R_DS(on)级产品采用各种SMD封装，如ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL和TOLT。所有产品均在奥地利菲拉赫和马来西亚居林的高性能8英寸生产线上生产。未来，CoolGaN™将过渡到12英寸生产线。这将使英飞凌进一步扩大其CoolGaN™产能，并确保在GaN功率市场上拥有稳健的供应链。Yole Group预测到2029年，该市场规模将达到20亿美元^[1]。

[1] 来源：Yole Intelligence, 2024年氮化镓功率器件报告

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