~同时加快车载GaN器件的开发速度，以尽快投入量产~
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商（OSAT）拥有丰富业绩的日月新半导体（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称“ATX”）。
关于新产品的量产，ROHM利用其在垂直统合型一体化生产体系中所积累的元器件设计技术和自有优势，进行了相关的设计和规划，并于2024年12月10日宣布作为与台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，以下简称“TSMC”）合作的一环，前道工序在TSMC生产，后道工序在ATX生产。另外，ROHM还计划与ATX合作生产车载GaN器件。预计从2026年起，GaN器件在汽车领域的普及速度将会加快，ROHM计划在加强内部开发的同时，进一步加深与这些合作伙伴之间的关系，以加快车载GaN器件投入市场的速度。
日月新半导体（威海）有限公司 董事兼总经理
“ROHM拥有从晶圆制造到封装的全部生产设备，并拥有非常先进的制造技术，很高兴ROHM将部分生产外包给我们。我们从2017年开始与ROHM进行技术交流，目前正在继续探索更深合作的可能性。ATX在GaN器件后道工序制造方面的实际业绩和技术实力得到ROHM的认可，从而促成了本次合作。双方还计划针对ROHM目前正在开发的车载GaN器件也开展合作，未来也会继续加深双方的合作伙伴关系，以促进各领域的节能，为实现可持续发展的社会做出贡献。”
“非常高兴ROHM 的TOLL 封装650V GaN HEMT能够以令人满意的性能投入量产。ROHM不仅提供GaN器件，还提供其与融入自身模拟技术优势的IC等元器件相结合的电源解决方案，而且还会再将这些设计过程中积累的专业知识和理念应用到元器件的设计中。通过与ATX等技术实力雄厚的OSAT合作，ROHM不仅能够跟上快速增长的GaN市场的步伐，同时还能不断向市场推出融入ROHM优势的产品。未来，我们将继续通过提高GaN器件的性能，促进各种应用产品的小型化和效率提升，为丰富人们的生活贡献力量。”
＜什么是EcoGaN™＞
＜产品阵容＞
☆：开发中
＜应用示例＞
＜关于日月新半导体（威海）有限公司＞
ATX与全球排名前十的功率元器件企业建立了长期且紧密的合作关系，是一家拥有自主知识产权以及基于这些知识产权的核心技术的、下一代半导体元器件开发方面的先进企业。
如需了解更多信息，请访问ATX官网：http://www.atxwh.com/
＜术语解说＞
*1) GaN HEMT
GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si（硅）相比，具有更优异的物理性能，目前，因其具有出色的高频特性，越来越多的应用开始采用这种材料。
HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。*2) RDS（ON）×Qoss
评估元器件性能的指标，Qoss是指从输出端看的漏极源极间的总电荷量。另外，RDS（ON）（导通电阻）是使MOSFET启动（导通）时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗（电力损耗）越少。这两者相乘得到的值越低，开关工作效率越高，开关损耗越少。