【中芯国际N+1是什么？】
10月12日有媒体称，中芯国际 FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过。受惠N+1技术突破消息，中芯国际股价全日大升11.5%，收报20.6元，成交额29.9亿元。在今年9月下旬，中芯国际再度对外回应称，第二代FinFETN＋1工艺已经进入客户导入阶段，有望于2020年底小批量试产。
根据中芯国际联席CEO梁孟松博早前公布的信息显示，N＋1（相当于8nm）工艺和现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。从逻辑面积缩小的数据来看，与7nm工艺相近。相比台积电7nm性能提升了35%，性能上还是有一点差距的。
什么是FinFET
FinFET称为鳍式场效应晶体管（Fin Field-Effect Transistor），是由美籍华人科学家胡正明教授提出的，其中的Fin在构造上与鱼鳍非常相似，所以称为「鳍式」，而FET的全名是「场效晶体管」 。FinFET是一种新的互补式金属氧半导体（CMOS）晶体管，源自于传统标准的晶体管—「场效晶体管」的一项创新设计。
最早使用FinFET工艺的是英特尔，他们在22纳米的第三代酷睿处理器上使用FinFET工艺，随后各大半导体厂商也开始转进到FinFET工艺之中，其中包括了台积电16nm、10nm、三星14nm、10nm以及格罗方德的14nm。
什么是N+1
2019年第四季度，中芯国际实现了14nm制程工艺的量产，该工艺可以满足国内95%的芯片生产。
其中的多重曝光是目前主流的FinFET制造工艺。它的原理就是先pattern一批80nm精度的图样，然后再交错多重曝光一批80nm精度的图样；在两次光刻之后，就可以将精度提升到40nm。
中芯N+1接近7nm制程工艺，相比目前市场上的7nm性能能要低10%。现在的方式就是使用DUV多重曝光来解决，通常生产7nm工艺芯片至少得曝光4次，相比EUV光刻机只要一次即可，这种生产方式显然效率较低，成本也更高，包括芯片的良品率也会大幅降低。
没有EUV光刻设备，如何突破7nm工艺的呢？
中芯国际早在2018年就成功预定了一台荷兰ASML的7nm EUV光刻机，本打算借助EUV光刻机，攻破7nm工艺，但是因为“失火"延期交货，后来因为美国方面的阻挠，导致许可证到期，中芯国际至今未收到EUV光刻机。
中芯国际采用跟台积电一样的发展史，第一代低功耗的N7, 第二高性能的N7P﹐第三代EUV工艺的N7+。
台积电前2代也是用荷兰ASML深紫外光微影系统(DUV)，到了N7+工艺才需要使用了极紫外光微影系统(EUV)光刻机。所以中芯国际最多能发展到N+1、N+2工艺﹐到了第三代N7+就一定要用到EUV，暂时中芯不能生产，除非能买到ASML 最新EUV。
中芯N+1流片成功，令其先进制程工艺已经追过格罗方德(GlobalFoundries)，只是比台积电和三星差，进入世界最先进制程行例。
高盛最新报告指，受累于美国对华为和中芯国际限制生效，料中芯国际从本季度开始华为订单收入将归零。中芯挑战才刚开始，小编只能引用华为的话鼓励鼓励，【没有伤痕累累，哪来皮糙肉厚，英雄自古多磨难】。
