集成电路行业快讯（2023年第4期）

一、政 策 快 讯

（一）多所学校获批新增“集成电路设计与集成系统”本科专业

近日，教育部公布2022年度普通高等学校本科专业备案和审批结果，超20所学校获批新增“集成电路设计与集成系统”本科专业，包括北京邮电大学、西北工业大学、南京工程学院、厦门理工学院、山东科技大学、广州大学、湖南工商大学等。其中，北京邮电大学消息显示，此次获批新增的“集成电路设计与集成系统”本科专业聚焦解决高速通信集成电路与光子芯片“卡脖子”问题，培养掌握集成电路基础理论和专门知识，具备集成电路与集成系统设计、制造、测试等工程技术运用能力及跟踪新理论、新知识、新技术的自主学习能力。西北工业大学集成电路设计与集成系统专业致力于培养在集成电路与系统设计领域具有国际视野的应用型、复合型行业紧缺人才。主要开设半导体物理与器件，集成电路设计与工具、制造、封测及微系统等领域课程，与龙头企业、科研院所联合开展覆盖集成电路全产业链的产教融合综合实训。

https://www.dramx.com/News/IC/20230427-33923.html

（二）中国台湾地区的“台版芯片法”即将正式出台

5月1日，据台湾经济日报报道，中国台湾的“台版芯片法”子法有望于本周预告，两大投资抵减适用门槛大致敲定。前瞻创新研发投抵方面，研发密度（研发费用占总营收比率）须达6%，研发费用门槛则可能在60亿至70亿元新台币间折衷。中国台湾“经济部”强调，在技术创新，且位居国际供应链关键地位公司，符合要件人均可申请适用，包含半导体、5G、电动车等。“台版芯片法”共分为两种，第一是前瞻创新研发投抵，抵减率为当年度研发支出的25%; 第二是购置用于先进制程的设备投抵，抵减率为支出的5%，支出金额无上限。二者合计抵减税额不得超过当年度应纳营所税额50%。“台版芯片法”施行期间为2023年1月1日-2029年12月31日，为期7年。

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（三）无锡市制定更实举措巩固集成电路产业优势

4月26日，无锡市召开市政府第21次常务会议，审议《关于加快建设具有国际影响力的集成电路地标产业的若干政策》等文件，研究部署相关工作。会议强调，要坚持“产业集群+特色园区”发展路径，制定出台推动集成电路产业高质量发展全链条支持政策，加快打造具有国际影响力和核心竞争力的地标产业集群。要聚焦总部经济发展、设计企业引进、专精特新企业培育等加强政策扶持，大力引育高端人才和顶尖团队，支持企业建设创新平台、攻关核心技术、推进产品研发和产业化，强化对重大项目、智改数转、工业技改等要素保障，全方位夯实产业基础、拓展发展优势。要大力推进“两圈两链”建设，精心组织举办综合性行业峰会活动，持续深化“四个对接”，促进集成电路装备、核心零部件、材料产业等相互融合、协同发展，推进产业链上下游互联互通、紧密衔接。要优化完善“无难事、悉心办”惠企服务平台，实现政策精准推送、扶持免申即享、政企随时互动、问题快速闭环，确保专项政策落地落实、直达企业。

http://www.wuxi.gov.cn/doc/2023/04/27/3943466.shtml

二、国 内 快 讯

（一）燕东微12英寸晶圆生产线一阶段已于4月底实现试生产

5月4日，北京燕东微电子股份有限公司（以下简称“燕东微 ”）发布公告称，其12英寸晶圆生产线一阶段于今年4月底实现了试生产，首款试生产的功率SBD器件良率达到预期，预计年内产能达1万片/月。

燕东微使用募集资金投资“基于成套国产装备的特色工艺12英寸集成电路生产线项目”，由全资子公司北京燕东微电子科技有限公司实施，项目总投资75亿元，目标为月产能4万片，工艺节点为65nm，产品定位为高密度功率器件、显示驱动 IC、电源管理 IC、硅光芯片等。该项目周期的一阶段为2023年4月试生产，2024年7月产品达产；二阶段为2024年4月试生产，2025年7月项目达产。

https://www.163.com/dy/article/I3UC8EJ40511RIVP.html

（二）北京大学发布碳纳米管单片三维集成研究成果

北京大学电子学院、碳基电子学研究中心、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授课题组与浙江大学材料科学与工程学院金传洪教授课题组合作，对阵列碳纳米管单片三维集成关键工艺深入研究，利用具有自发平坦化的旋涂玻璃硅（SOG）材料，实现了高质量层间介质制备，具有高平坦度，低表面粗糙度（Ra<0.5nm）与低介电常数（k~3），实现了碳管晶体管超细粒度的垂直集成，层间对准精度接近20nm，实现了纳米材料领域内速度最快、面积最小的三维集成电路。该研究发展了一种全新的提纯和自组装方法，用于制备高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料，并在此基础上首次突破了性能超越同等栅长硅基CMOS技术的晶体管和电路，展现出碳管电子学的优势。

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（三）致真存储、芯恒源国内两大存储芯片项目迎新进展

近日，国内两大存储芯片项目迎来新进展，分别为致真存储芯片项目和芯恒源存储芯片切割研磨封测项目，总投资额达83.5亿元。其中，致真存储芯片项目于4月22日签约青岛西海岸新区，项目总投资28.5亿元，分两期在新区建设8英寸、12英寸新一代存储芯片生产线及研发中心，所产芯片将极大提升物联网及汽车芯片存储器性能，助力打造国内存储芯片产业新增长极。芯恒源存储芯片切割研磨封测项目总投资55亿元，于4月13日提前实现正负零施工。项目一期占地50亩，将建设晶圆切割、研磨、存储芯片封测生产线，计划打造北方首个芯片切割、研磨的公共服务平台，达产后预计可实现年产值80亿元。该项目预计6月底主体封顶，12月份投产，预计年进出口额约3亿美元。

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（四）英飞凌牵手天科合达、天岳先进，服务3600家SiC客户

5月3日，英飞凌与天科合达和天岳先进签订长期协议，以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。其中，英飞凌与天科合达签署晶锭与衬底的供应合同，天科合达将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体产品的高质量并且有竞争力的150毫米碳化硅晶圆和晶锭，其供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。天岳先进与英飞凌签订全新衬底和晶棒供应协议，天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的150毫米碳化硅衬底和晶棒，第一阶段将侧重于150毫米碳化硅材料，同时也将助力英飞凌向200毫米直径碳化硅晶圆过渡。天科合达和天岳先进主要为英飞凌提供6英寸碳化硅衬底，以及8英寸碳化硅材料，助力英飞凌向8英寸SiC晶圆的过渡。为此，英飞凌表示，与天科合达和天岳先进签约，将有助于保证整个供应链的稳定，同时满足中国市场在汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统等领域对碳化硅半导体产品不断增长的需求，并将推动新兴半导体材料的快速发展。

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（五）山东有研亿金高纯溅射靶材生产项目有望满足7-28纳米先进制程芯片需求

有研亿金（山东）新材料有限公司集成电路用高纯溅射靶材生产项目总投资约6亿元，占地140亩，建设高标准厂房5万平方米。该项目预计6月份达产，达产后预计年产高纯溅射靶材43000块，年销售收入9亿元。项目建成后，将为国内芯片制造企业提供优质定制化服务及配套保障，提升我国集成电路关键配套材料自主可控能力，解决集成电路关键材料“卡脖子”问题。满足集成电路7-28纳米先进制程芯片的需求，实现国产替代，保持高端靶材产品国内市场占有率领先地位。

https://www.dramx.com/News/cailiao-shebei/20230504-33946.html

三、国 际 快 讯

（一）美国拟斥资110亿美元设立国家芯片技术中心

据外媒报道，美国政府拟斥资110亿美元在美国各地成立国家级组织——国家半导体技术中心（NSTC），支持和扩大美国在半导体研究、设计、工程和先进制造领域的领导地位，以增强美国经济和国家安全。美国商务部长雷蒙多表示，NSTC将确保美国在下一代半导体技术方面处于领先地位，虽然《芯片法案》补贴措施将把半导体制造业带回美国，但由NSTC领导的强大研发生态系统将把半导体制造业留在美国。目前，NSTC具有三个目标，即一是扩大美国在半导体技术方面的领先地位。在美国设计、原型制作和试验最新的半导体技术将为未来的应用和行业奠定基础，并加强国内半导体制造生态系统。二是减少从设计构思到商业化的时间和成本。NSTC将利用共享设施和专业知识来设计、原型制作、制造、封装和扩展半导体及相关产品，为美国的创新者提供促进经济和国家安全的关键能力。三是建立和维持半导体劳动力发展生态系统。NSTC劳动力计划将支持扩大半导体生态系统的招聘、培训和再培训，包括覆盖行业中传统上代表性不足的群体。除建立研究、管理和运营中心外，NSTC还将通过扩大和改进全国的研究设施或建设新的先进设施来建立技术中心。

http://www.chinasensor.com.cn/xingyedongtai/2023-04-27/894.html

（二）美国与韩国进一步协商芯片法案和芯片出口管制

据韩联社报道，在美韩的一份联合声明中，双方同意继续讨论《芯片法案》的要求和机会，争取最大限度地减少企业投资和业务负担的不确定性。此外，双方在芯片出口管制方面进行合作，在保护国安的同时，最大限度地减少对全球半导体供应链的干扰，维持半导体行业的活力。据最新消息，目前美国政府拟为三星电子及SK海力士的中国芯片厂延长一年对华出口管制宽限期。即使获得豁免，韩国芯片制造商也将无法进口生产世界上最先进的存储芯片所需的极紫外 （EUV）机器。

https://laoyaoba.com/n/859198

https://new.qq.com/rain/a/20230504A01ES500

（三）全球首款3D DRAM，NAND Flash奔向300层

NEO Semiconductor近日表示，其3D X-DRAM技术能显著提高DRAM密度，可生产230层的128Gbit DRAM芯片，是当前DRAM密度的八倍。该技术或可解决下一波AI应用（例如ChatGPT）驱动的对高性能和大容量存储器半导体的需求增长。在即将举行的2023年VLSI技术和电路研讨会上，多篇论文涵盖了3D-NAND闪存非易失性存储器。会议定于6月11日至16日在日本京都举行。其中，Kioxia 和长期合作伙伴 Western Digital的研究人员在即将提交的论文中提到，金属诱导的横向结晶允许在超过300层的垂直存储孔中形成14微米长的“通心粉”格式通道。作者描述了最近开发的镍吸杂技术，112字线分层3D NAND闪存在不降低存储单元可靠性的情况下，读取噪声降低了40%以上，通道传导性能提高了10倍。

https://mp.weixin.qq.com/s/puAWQJdySa813dJNTENS9w

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