集成电路行业快讯（2023年第3期）

近 期 热 点

（一）工业和信息化部领导赴上海调研新能源汽车产业发展，强调车用芯片等技术攻关

4月19日至21日，工业和信息化部党组成员、副部长辛国斌带队赴上海重点企业现场调研，召开汽车产业发展座谈会，深入了解企业研发生产情况，分析产业运行态势，研究推动新能源汽车产业高质量发展的政策举措。提出要强化技术创新，支持产学研用深度合作，开展车用芯片、固态电池、操作系统、高精度传感器等技术攻关。

https://www.miit.gov.cn/xwdt/gxdt/ldhd/art/2023/art_e269074e8d8a427cadee8d0022553e0a.html

（二）北京市推动建立集成电路专利池，已累计2.2万件专利入池

4月20日，北京市召开2022年知识产权保护状况新闻发布会，北京市知识产权局公布2022年全年知识产权保护的总体情况。截至2022年底，已建立集成电路专利池并实现累计近2.2万件专利入池。

https://www.beijing.gov.cn/ywdt/gzdt/202304/t20230426_3079433.html

（三）基本半导体车规级碳化硅芯片产线正式通线

4月24日，基本半导体车规级碳化硅芯片产线通线仪式在深圳市光明区举行。该项目获得工信部的产业专项支持，并连续两年入选深圳市年度重大项目，厂区面积13000平方米，配备光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蚀等专业设备，主要产品为6英寸碳化硅MOSFET晶圆等，产线达产后每年可保障约50万辆新能源汽车的相关芯片需求。

https://www.basicsemi.com/h-nd-436.html

政 策 动 态

（一）国家知识产权局将修改完善集成电路布图设计保护条例，适应大规模发展需要

4月24日，国务院新闻办举行“2022年中国知识产权发展状况新闻发布会”，国家知识产权局局长申长雨表示，将统筹推进各类知识产权法律法规和制度规则的制修订工作，其中包括修改完善集成电路布图设计保护条例，适应大规模集成电路发展需要，助力芯片产业做大做强，服务数字经济更好发展。

https://www.thepaper.cn/newsDetail_forward_22829443

（二）上海市印发《关于新时期强化投资促进加快建设现代化产业体系的政策措施》的通知

4月25日，上海市人民政府办公厅印发《关于新时期强化投资促进加快建设现代化产业体系的政策措施》（沪府办规〔2023〕12号）。聚焦招商奖励、模式和载体，重点产业招商，招商机制建立，提出3方面24条措施。集成电路产业作为“三大先导产业”之一，围绕芯片设计、制造、封测、装备、材料等领域重点招商，对引进的装备材料重大项目和EDA等高端软件重大项目最高给予1亿元支持，并推出研发、产业化载体空间200万平方米。

https://www.shanghai.gov.cn/nw12344/20230425/9557f45bbe1c4f278c16e5ae3d185343.html

（三）湖北出台20条税收措施，突破性发展光电子信息产业

4月18日，国家税务总局湖北省税务局印发《突破性发展光电子信息产业若干税收支持措施》（鄂税发〔2023〕9号），以充分发挥税收职能作用，加快打造全国科技创新高地，更好地支持湖北省突破性发展光电子信息产业。《措施》重点面向集成电路等光电子信息产业提出多项举措，包括支持创新主体培育、支持研发资产投入、支持技术成果转化、吸引研发人才入驻、吸引产业配套集聚、支持中小企业发展、缓解企业资金压力、深化国际研发合作、提供定制精细服务。

http://hubei.chinatax.gov.cn/hbsw/zcwj/zxwj/1728133.htm

国 际 动 态

（一）英国表示需削减中国台湾等地芯片进口，将发布数十亿英镑半导体计划

据英国媒体《金融时报》报道，英国政府近日表示需要减少对中国台湾等全球地缘政治敏感地区的芯片进口的依赖。在英国政府对半导体行业进行审查后，预计将在几周内决定一项可为半导体行业提供数十亿英镑的半导体扶持计划。此外，英国还将通过与其他国家半导体公司实行更密切的合作推动半导体行业供应链多样化。

https://laoyaoba.com/n/857668

（二）英飞凌推出业界首款LPDDR闪存

近日，英飞凌科技宣布推出业界首款 LPDDR 闪存，借鉴了已有10年历史的LPDRR4 DRAM的LPDDR接口方案，并将其应用于闪存。该新型存储器可为下一代汽车提供更快、更高性能的实时计算处理能力。

https://mp.weixin.qq.com/s/nZc2rfPHoa-_vSnzwyhnOQ

（三）SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM

4月21日，SK海力士宣布成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。此次公布的新产品采用了先进的MR-MUF3和TSV4技术，通过先进MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品相同的高度。据TrendForce集邦咨询报告显示，2022年SK海力士的HBM市占率达50%，且SK海力士目前是唯一能量产HBM3显存的厂商。

https://mp.weixin.qq.com/s/I8b6GUNpp6jCcGDSGdwtVw

END