北 国 咨 快 讯
01
北京快讯
(一)龙芯中科新一代四核处理器3A6000将于11月底正式发布
龙芯中科技术股份有限公司近日接受机构调研时表示,基于龙架构的新一代四核处理器3A6000将于11月28日正式发布。并表示,后续在服务器产品研发方面,16核3C6000已基本完成设计,近期将交付流片,3C/3D/3E6000均采用全新的龙链技术,实现片间高速互联;后续在桌面4核产品研发方面,6000系列计划在目前的工艺上再做一次结构优化,用已有工艺完成结构优化后再升级到更先进工艺;在GPU研发方面,公司计划明年研制专用GPGPU芯片。
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(二)中科院微电子所在垂直纳米环栅器件研究方面取得突破
近日,中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究团队利用自主研发的一种自限制ALE(原子层刻蚀)工艺实现了锗对锗硅材料和晶面的双重选择性精确刻蚀,制备出了由晶面构成的沙漏型单晶Ge沟道自对准垂直纳米环栅器件。该沙漏形Ge沟道器件最窄处为520nm,表现出良好的短沟道效应免疫等优异性能,纳米线器件的开态电流达到291pA/um,为同类器件最大。该器件同时具有较高的电流开关比、良好的亚值摆幅和漏致势垒降低。
该研究得到中科院战略先导专项、中科院青年创新促进会、北京超弦存储器研究院和国家自然科学基金等项目资助,相关研究成果发表在工程技术类顶级期刊ACSNANO上(DOl:10.1021/acsnano.3c02518)。
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02
国内快讯
(一)深理工联合深圳先进院、海光、寒武纪等设立算力微电子产业联盟
11月15日,第25届高交会高性能芯片设计与制造高峰论坛暨重大项目签约仪式上,深圳算力微电子产业联盟正式启动,深圳理工大学(筹)算力微电子学院也正式成立。深圳算力微电子产业联盟由深圳理工大学(筹)牵头,联合中国科学院深圳先进技术研究院、海光信息、曙光信息、中科寒武纪等国内知名集成电路企业共同设立,旨在为深圳集成电路高新技术企业供给即用型人才,促进基础技术创新,通过产教融合实现关键核心技术突破。算力微电子学院是深理工的第七个学院,同时也是中国首个以“算力微电子”来命名的学院,聘请曾经的龙芯CPU、海光CPU创始人之一唐志敏为院长,专注于算力与微电子交叉集成发展,瞄准世界科技前沿,突破关键核心技术,培养一流科学家和卓越工程师。
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(二)华为公布专利“共轭逻辑门电路、集成电路、电子设备”
集微网消息,华为技术有限公司近日新增多条专利信息,其中一条名称为“共轭逻辑门电路、集成电路、电子设备”,公开号为CN117083805A。该专利提供一种可以实现共扼输入和共扼输出的共钜逻辑门电路。据悉,截至2022年底,华为持有超过12万项有效授权专利,主要分布在中国、欧洲、美洲、亚太、中东和非洲。其中,华为在中国和欧洲各持有4万多项专利,在美国持有22000多项专利。
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(三)中芯国际第三季度营收环比增长3.9%
11月9日,中芯国际发布2023年第三季度财务报告。报告显示,公司第三季度营收16.2亿美元(约117.94亿元人民币),环比增长3.9%;毛利率为19.8%,环比下降0.5%;归属母公司所有者净利润为36.75亿元,同比减少60.86%;营业收入330.98亿元,同比减少12.35%;基本每股收益0.46元,同比减少61.34%。中芯国际预计第四季度营收将环比增长1%-3%;毛利率预计在16%-18%范围内。全年资本开支预计上调到75亿美元左右。
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03
国际快讯
(一)三星2024年将推出先进3D芯片封装技术SAINT
11月15日,集微网发布消息称,三星计划2024年推出先进3D芯片封装技术SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三星高级互连技术),能以更小尺寸的封装,将高性能芯片的内存和处理器集成化。SAINT可提供用于垂直堆叠SRAM存储芯片和CPU(SAINT S)、用于垂直封装CPU、GPU和DRAM等核心IP(SAINT D)和用于堆叠应用处理器(SAINT L)三种类型的封装技术。据悉,SAINT技术已通过验证测试,计划与客户进一步测试后,将于明年晚些时候扩大其服务范围,目标是提高数据中心AI芯片及内置AI功能手机应用处理器的性能。
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(二)台积电扩产SoIC明年月产能将超3000片
11月20日,集微网消息,台积电目前正积极扩充CoWoS产能以满足不断增长的先进封装需求,此外,台积电正扩充新一代封装SolC(系统整合单芯片)产能,明年月产能将从目前1900片左右增长至超3000片,2027年月产能有望提升至7000片以上。据悉,SolC是业界第一个高密度3D小芯片堆叠技术,通过Chip on Wafer(Cow)封装技术与多晶圆堆封装技术,可以将不同尺寸、功能、节点的晶粒进行异质整合,已于竹南六厂(AP6)进入量产。
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(三)传台积电将在日本建晶圆厂制造3纳米芯片
11月21日,据知情人士透露,台积电正考虑在日本熊本县建第三家工厂,代号为Fab-23,生产制造3纳米芯片。目前,台积电正在日本熊本县建设一座主要生产12纳米、16纳米、22纳米和28纳米制程的晶圆厂,预计2024年底前量产。此前有报道称,台积电还计划在日本熊本建设第二家晶圆厂,制程工艺为7纳米,日本政府将为该晶圆厂提供最高达9000亿日元的补助资金。目前尚不清楚台积电是否在日本兴建第三座晶圆厂。
对此消息,台积电最新声明表示:“公司持续通过必要的投资,支持客户需求并应对半导体技术长期需求的结构性增长。我们正专注于评估在日本建设第二座晶圆厂的可能性,目前没有更多可分享的信息。”
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(四)ASML将每年投资1亿欧元建设柏林工厂
11月21日,集微网消息,荷兰半导体公司ASML将在2023年投资1亿欧元(1.09亿美元),并在未来几年每年投资相同的金额,以扩大其位于德国柏林制造工厂的生产和开发能力。报道称,ASML预计未来几年将实现快速增长,德国柏林工厂是为高度复杂的芯片生产机器提供重要零部件。ASML总经理George Gomba表示,公司目前在首都拥有1700名员工,预计几年内将增加到2300人。
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04
行业数据
(一)北京前10个月进口IC超497亿元,规模已超去年全年水平
据北京日报报道,北京地区集成电路进口已连续3年保持正增长。前10个月,北京地区进口集成电路497.8亿元,增长44.7%,进口规模已超过2022年全年水平。同期,全国集成电路进口下降13.5%,北京地区集成电路进口在全国主要省市中增速排名首位。
https://mp.weixin.qq.com/s/6dmwn6EOQoU8GbTcbhkN7w
(二)SEMI:全球晶圆厂利用率将降至67%
根据行业组织SEMI的数据,全球芯片市场将在2023年第四季度恢复同比增长,但随着库存销售额的增加,预计第四季度晶圆厂利用率将下降至67%。电子设备销售额继第三季度环比增长7%之后,预计在第四季度实现22%的环比增长;与此同时,随着终端需求改善和库存水平正常化,IC销售额继2023年第三季度增长7%后,预计第四季度将环比增长4%。SEMI市场情报高级总监称,预计后端设备销售额将在2023年第四季度触底,并在2024年形成强劲势头。
https://mp.weixin.qq.com/s/rn0R83abM3R1eeiu6lsVQA
(三)10月份中国半导体器件专用设备制造业增加值同比增长33.9%
11月15日,国务院新闻办公室举行新闻发布会,国家统计局新闻发言人、总经济师、国民经济综合统计司司长刘爱华就记者问题介绍2023年10月份国民经济运行情况。10月份,规模以上工业增加值同比增长4.6%,累计增长4.1%。工业生产主要呈现装备制造业增速连续三个月回升、新动能加快成长壮大、新能源产品产量保持快速增长等特点。其中,芯片、人工智能等领域相关生产设备的生产快速增长,增长的引擎作用继续显现。10月份,半导体器件专用设备制造业增加值同比增长33.9%。航空航天事业蓬勃发展,引领链上行业高速增长,航空航天器及设备制造业10月份增长12.3%,都保持较快增长。
http://www.stats.gov.cn/sj/sjjd/202311/t20231115_1944562.html
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