前沿锐评 | 关于拜登政府对华最新“实体清单”和出口管制政策的评论

BIECC

12月2日美国BIS出口管制新规是对2022年10月的IFR、2023年10月、2024年4月管制政策的补充，是拜登政府三轮对华半导体制裁的“收官之作”，是拜登政府任期内最后一次，也是力度最大、范围最广的对华半导体产业链打击行动。

北国咨专家咨询师、北京半导体行业协会副秘书长朱晶及其团队认为，此次管制新规将美国对HBM、EDA工具、半导体设备的管控升至最高级，几乎限制了我国企业想要进口或者自主生产高端产品的所有通路。我国境内新列入实体清单的136家企业，几乎覆盖所有供应链环节的领军企业。此外对16家涉及国产先进工艺制造的机构和企业增加先进工艺场地设施限制（脚注5），阻断了以成熟工艺的名义发展先进工艺产线的可能性。美国这次重点围绕我国半导体产业自主供应链的根基环节设备和EDA软件进行精准打击，同时对与华为深度合作或为华为提供相关半导体产品的国内企业进行围堵，旨在由点及面的全面阻止我国半导体国产供应链的加速建设。此次管制新规是对我国半导体产业无死角、无盲区、零空白的“围追堵截”和“查漏补缺”，极大地冲击着我国正在建设的国产半导体供应链体系。

虽然阵痛难免，但此次管制会让更多企业真正放弃幻想，投入到国产半导体供应链的加速建设中。建议国家高度重视和积极应对本次制裁的严重影响，加紧出台相关举措推进国产半导体供应链建设和关键“卡脖子”产品的提速替代。

突围，颠覆，从来不是一蹴而就，终有一天，这一路的曲折，都会成为中国半导体产业值得纪念的勋章。

主要事件

新增近140家国内半导体产业相关企业和机构被美国工业与安全局（BIS）纳入“实体清单”。其中半导体设备企业数量最多，占比超过50%，还包括数十家制造代工、EDA、设计等国产半导体供应链重要环节企业，涉及十余家国内半导体领域上市公司。

新增升级管控国产半导体设备的相关规则。刻蚀、光刻、清洗、涂胶等核心设备，被细化到ECCN分类下的多个条目进行限制（BIS在管制清单中新增8种品类[ECCN 3B001]，后续此类设备的采购均需要许可要求或推定拒绝，主要包括：用于TSV的刻蚀设备；用于在先进集成电路的金属线之间沉积低介电材料的设备；用于先进存储器集成电路中低电阻率金属[钼和钌]的沉积设备；用于先进DRAM中绝缘体沉积的设备；部分用先进节点钨沉积的物理沉积设备；能够用于先进节点集成电路生产的纳米压印光刻设备[套刻精度小于1.5nm]；用于先进制程的高端单片清洗设备；控制用于改善EUV光刻整体图形的沉积或刻蚀设备等）。特别新增了部分国产设备的出口许可要求，即使非直接使用美国技术的设备也被间接列管。同时本次新规明确指出，国产设备中若含有依赖美国技术的核心零部件（如控制模块），同样被纳入管控范围。

对部分重点机构和企业的设备购置加强设限。本次新规对中科院微电子所、晋华、北方集成电路创新中心、鹏芯微、中芯北京、中芯南方、中芯上海、上海ICRD、上海集成电路装备材料产业创新中心CICEM、鹏新旭、芯恩、中芯国际、中芯北方、昇维旭、武汉新芯、张江实验室等多家国内半导体重点企业和机构增加了脚注5（针对先进工艺场地的脚注），增加了先进工艺场地设施限制，若国内生产设施中包含用于先进节点IC的生产线，即使其他设备用于传统工艺，也需接受严格审查。同时进一步细化了对国内设备厂商的审查。新规要求若国内企业采购设备被怀疑用于支持实体清单上的公司，其供应链上下游均可能受到限制。

新增人工智能大模型所需HBM高带宽内存芯片的对华出口限制。HBM高带宽内存是大模型算力芯片所需的关键器件，在生成式人工智能热潮席卷拉开全球大算力时代的序幕后，其战略地位日益凸显。目前全球HBM高带宽内存主要由韩国海力士、美国美光和韩国三星三家存储器企业供应，主流产品为HBM3E（数据传输速率9.6 Gb/S，带宽1229GB/S）。本次针对HBM增加了3A090.c管制物项编码，存储带宽密度超过每平方毫米2GB/s（相当于HBM2同等水平）即受到管制。对于美国或盟友企业在中国工厂封装等情形，设置了许可例外条件，当满足HBM内存带宽密度小于3.3GB/s/mm²等一系列条件时，可申请许可证例外授权，但对产品去向仍有严格管控。

新增对EDA工具的加强管控。本次BIS新规强化了对EDA软件和相关密钥的出口限制，其中用于电子设计自动化（EDA）工具的授权密钥被明确列入管控清单，阻断中国企业获取或升级EDA工具的可能性。同时，新规要求出口方对EDA的最终用途进行严格审查，避免工具被用于“先进节点”的设计和制造。