美国推出半导体技术试点计划，加速半导体产业创新

要符合此试点计划的资格，申请人必须提交一份根据该计划提出的特别审查请求，并且申请必须主张涉及某些特定半导体设备制造过程或装置的发明。申请人必须在提出特别审查请求时证明：

1. 申请人有充分信心相信，所主张的发明满足试点计划的技术要求，可以改善半导体设备的制造；

   
   

2. 所主张的发明涉及的过程或装置满足试点计划的技术要求，并在规格书中被披露为主要聚焦于半导体设备的制造；

   
   

3. 申请人有充分信心相信，加快审查该申请将对半导体制造业产生积极影响，例如增加半导体设备的生产、降低半导体制造成本或增强半导体供应链的弹性；

   
   

4. 发明人或任何共同发明人未曾在超过四份其他非临时申请中被命名为发明人或共同发明人，而这些申请已根据本试点计划提交了提出特别审查的请求。

被接纳进试点计划的申请将获得优先处理（被赋予特别状态），直至首次官方行动通知发布，无需满足加速审查计划（例如，审查支持文件的要求）或优先审查计划（例如，Track One优先审查费用或处理费用）的当前所有要求。也就是说，这个特别审查请求是完全免费的。

1.申请类型及提交特别审查请求的时间

(a) 与专利申请（要求非续案 non-continuation or non-continuation-in-part 和非临时 non-provisional）同时提交，或根据35 U.S.C. 371项下进入国家阶段时，或在申请提交日期或进入日期的30天内；或

(b) 与专利申请（第一个续案 the first continuation，i.e., 仅有一份前案的非临时申请, 或仅有一份指定美国的先前国际申请）同时提交或者在申请提交日期的30天内。

试点计划仅适用于上述未收到首次官方行动（包括书面限制要求）的非临时申请。任何主张两个或多个先前提交的申请（这些申请为非临时的美国申请和/或指定美国的国际申请）的申请日期权益的申请，都不符合参与试点计划的资格。根据35 U.S.C. 119(e)主张一个或多个先前临时申请的权益，或根据35 U.S.C. 119(a)–(d)或(f)主张一个或多个外国申请的优先权，将不会影响申请参与试点计划的资格。

2. 需要提交的表格

要参与此试点计划，申请人必须使用PTO/SB/467表格提交一份特别审查请求，该表格标题为“根据半导体技术试点计划的认证和特别审查请求”（可在www.uspto.gov/PatentForms上获取）。

3. 申请必须包含至少一个符合技术要求的权利要求

申请必须包含至少一个涵盖半导体设备制造过程或装置的权利要求，并且与合作专利分类（CPC）系统中H10（半导体设备；电固态设备，未在其他类别中提供）或H01L（未被H10类覆盖的半导体设备）的一个或多个技术概念相对应。

H10类和H01L子类的完整分类方案可在 www.uspto.gov/web/patents/classification/ 上查看。

4.申请的公开出版要求

如果申请人在申请提交当日提交特别审查请求，那么该申请不能附带非公开请求。如果申请人之前在申请中提交了非公开请求，申请人应在提交特别审查请求时或之前撤销非公开请求。申请人可以使用PTO/SB/36表格来撤销非公开请求。

5.申请的权利要求限制及不得包含多重从属权利要求

申请必须包含不超过三项独立权利要求和不超过20项总权利要求（“计划权利要求限制”），且不得包含任何多重从属权利要求。如果申请超出了三项独立权利要求或20项总权利要求，或包含任何多重从属权利要求，申请人应在提交试点计划下特别审查请求的日期或之前，根据37 CFR 1.121提交一份初步修改意见，取消任何超额权利要求或多重从属权利要求。

一旦申请在试点计划下被授予特别状态后，任何不符合计划权利要求限制或增加多重从属权利要求的修改都是不被允许的。申请人必须在请求中包含一项声明，同意在申请在试点计划下被授予特别状态后的剩余审查过程中不超过计划权利要求限制或增加任何多重从属权利要求。

审查官可能会拒绝接受对官方行动的任何回复中提交的修改，如果接受该修改，将导致待审权利要求集超过计划权利要求限制或增加多重从属权利要求。

6.提交限制

如果发明人或任何共同发明人未在超过四份其他非临时专利申请中被命名为发明人或共同发明人，并且这些申请中已提交了根据本试点计划的特别审查请求，则申请人可以提交申请参与试点计划的请求。换句话说，申请中提及的发明人或任何共同发明人只能在最多五份提交了试点计划下特别审查请求的非临时申请中被命名为发明人或共同发明人。

因此，如果本申请的发明人或任一共同发明人在超过四份其他提交了本试点计划下特别审查请求的非临时申请中被命名为发明人或共同发明人，那么对本申请提交的特别审查请求可能就不适宜。

7.其他注意事项

• 专利申请和特别审查请求都需要e-filing.

  
  

• 专利申请的specification, claims, abstract需要用DOCX格式。

  
  

• 如果根据试点计划提交的特别审查请求不符合本通知中规定的要求，美国专利商标局（USPTO）可能会通过发布通知来通知申请人存在的缺陷。通知将只给予申请人一次机会来纠正该缺陷。如果申请人仍希望参与试点计划，申请人必须在通知邮件/通知日期后的一个月或30天内（以较长者为准），通过专利中心提交包含适当更正内容的回复和正确签署的PTO/SB/467表格。回复的时间限制 不可 根据37 CFR 1.136(a)延长。如果申请人未能在设定的时间内纠正通知中指出的缺陷，该申请将不会被接纳进入试点计划，并将按照标准的审查程序进行审查。

  
  

• 如果存在以下任何一种缺陷，特别审查请求将被驳回，且不提供纠正机会：(1) 申请不包含符合试点计划技术要求的权利要求；(2) 权利要求中涉及的半导体设备制造过程或装置在规格说明书中未被披露为主要聚焦于半导体设备的制造；(3) 申请或国家阶段进入未通过专利中心以电子方式提交；(4) 在提交申请或国家阶段进入时，申请的规格说明书、权利要求和摘要未以DOCX格式提交；(5) 申请不是根据35 U.S.C. 111(a)提交的原始（非复审）实用新型非临时申请，或未根据35 U.S.C. 371进入国家阶段的国际申请；(6) 申请主张的是两个或更多先前提交的非临时美国申请和/或指定美国的国际申请的申请日期权益；以及(7) 特别审查请求未与申请或国家阶段进入同时提交，或未在申请提交日期或国家阶段进入日期的30天内提交。

  
  

此次半导体技术试点计划的推出，无疑为半导体行业注入了新的活力，为制造创新开辟了快速通道。它不仅体现了USPTO对于技术创新的重视，也显示了美国政府在全球半导体产业竞争中的决心和行动。我们期待看到此计划带来的积极成果，以及它如何推动整个半导体产业的前进。