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Infineon | 英飞凌推出OptiMOS™ 7 15 V MOSFET，创建行业新基准

Infineon | 英飞凌推出OptiMOS™ 7 15 V MOSFET，创建行业新基准 增你强
2024-01-07
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导读：英飞凌使客户能够在低输出电压的 DC-DC 转换领域迈出新的一步, 释放更优秀系统效率和性能，赋能未来。

英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS™ 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15 V 功率 MOSFET 的半导体制造商，采用全新系统和应用优化的OptiMOS™ 7 MOSFET 技术。新产品创建行业新基准，我们使客户能够在低输出电压的 DC-DC 转换领域迈出新的一步, 释放更优秀系统效率和性能，赋能未来。



与 OptiMOS™ 5 25 V 相比，更低的击穿电压可显著降低通态电阻RDS(on)和 FOMQg/FOMQOSS ，成为同类最佳的产品。可选的组合包括 PQFN 3.3x3.3 mm2源极底置封装（带底部和双面散热型）、衬底上的标准栅和中心栅电极，可灵活优化的 PCB 布局设计，以及紧凑的超小型PQFN 2x2 mm2封装。脉冲电流能力超过 500 A，Rthjc为 1.6 K/W。结合源极底置封装，不仅降低了导通和开关损耗，同时简化散热管理，还将功率密度和效率推向了新高度。该产品系列为支持数据中心配电架构的新趋势（如48:1 DC-DC 转换）提供了飞跃性的支持，开启服务器、数据通信和人工智能应用升级的新篇章，同时最大限度地减少了碳足迹。


主要特点

  • 业内首款 15 V 沟槽功率 MOSFET

  • 与 25 V 节点相比，RDS(on) 达到新基准

  • 出色的 FOMQg/ FOMQOSS

  • 极低的寄生效应

  • 提供标准和中心栅极引脚

  • 可选双面散热型


主要优势

  • 适用于高转换率DC-DC 转换器

  • 降低导通/开关损耗

  • 最佳开关性能和低过冲

  • 源极底置中心栅极可优化并联电路布局

  • 源极底置标准栅极可与现有PCB 布局轻松匹配

  • 双面散热，提高散热性能


价值主张

  • 适用于高比率 DC-DC 转换器：

    业内首款工业级 15V 垂直沟槽技术功率MOSFET

  • 与 OptiMOS™ 5 25V 相比，RDS(on),max4,5 降低 30%

  • 出色的 FOMQOSS 和 FOMQg

  • 紧凑的PQFN 2x2 mm2封装

  • ID（pulse）=516A，RthJCmax=3.2K/W

  • 双面散热PQFN 3.3x3.3 mm2源极底置封装：

    - 简化散热管理

    - 降低系统温度

  • 提高功率密度


15V产品组合


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【关于增你强】
增你强是大中华区领先业界的半导体零组件通路商，我们的使命是成为「技术领先的加值通路商」，持续不断地专注于“以客为尊”的服务理念，用最短的时间协助客户将新产品上市，并提供技术加值服务的整体解决方案。 

【声明】内容源于网络
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增你强
增你强股份有限公司为台湾半导体零组件通路商的早期先驱之一，营运据点以大中华地区为主。 代理销售产品与服务产业横跨电源供应、网络通讯、消费性电子、工业电子、 汽车电子、AIoT智能物联网、手持装置、信息科技、零售通路等多元领域。
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