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参加6月20日英飞凌碳化硅直播送好礼！

增你强

2023-06-12

导读：快来扫描内文二维码参加6月20日英飞凌碳化硅直播！

沟槽栅、冷切割、XT…..2023年度英飞凌碳化硅直播季首场直播回顾

IPAC | 2023年度英飞凌碳化硅直播季第一场直播于5月23日顺利结束。直播中英飞凌的三位工程师与大家探讨了CoolSiCTM沟槽栅MOSFET的设计理念、高性能封装互联方案.XT、冷切割技术与应用。直播时间有限，未能回答全部观众问题，在此针对一些遗漏问题进行回答。如果大家还有任何问题，欢迎在文末留言，我们会及时回复。

碳化硅阈值电压漂移的问题怎么解决的

答：阈值漂移，本质上是栅极氧化层中的缺陷，捕获了不该属于它的电子，氧化层中电子日积月累，就会造成阈值降低。所以要规避这种现象，芯片设计中要改善氧化层的质量。M1H就是改善了氧化层的质量，实现了方形门极电压操作曲线，也就是说不管什么开关频率，都可以使用负压下限-10V了。

我看到1700V 的SiC 管子做到12V驱动电压了，是能完什么做到这么低还保证阈值电压的呢

答：目前英飞凌1700V SiC MOSFET主要面向应用是辅助电源，12V驱动电压主要是为了和大部分反激式控制器兼容。也可以采用15V的驱动电压主，如果用15V驱动，导通损耗会更低。

英飞凌的SiC MOS不需要负压吧

答：如果单纯的从抑制寄生导通的角度看，对于一个设计良好的电路，英飞凌SiC MOSFET是不需要用负压关断的。但是负压对关断损耗有影响，具体可参见如下文章：

如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响

Cox是什么电容，和cgs, cgd有啥关系

答：下图是IGBT内部的寄生电容示意图，MOSFET同理。可以看到Cox是多晶硅栅极对衬底的电容，以栅极氧化层为介质，包括下图中的C2,C3,C4。其中，C3,C4是输入电容Cge的一部分，C2是Cgc的一部分。沟道电阻的公式中出现的Cox特指C3。

电荷集中在沟槽附近，特别是弯曲率高的地方，INFINEON做了什么补救措施？

答：英飞凌采用非对称沟槽栅结构，沟槽的一侧设有深P阱，P阱包围沟槽倒角，可以大大舒缓电场在沟槽倒角处的聚集。

更多关于非对称沟槽栅结构的信息，请参考下面文章。

SiCMOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？

SiC MOS TDDB失效的优化方案有专题吗

答：可参考如下文章

工业级SiC MOSFET 栅级氧化层可靠性

动态HTGB和稳态HTGB对比，哪一个更严格

答：如果动态HTGB是指GSS-Gate switching stress，那么GSS与HTGB考查的是不同维度的内容，GSS考查的是SiC MOSFET在多次开关周期后阈值的漂移程度，而HTGB考查的是长期的栅极偏压应力下栅氧化层的退化程度。两者对于评估SIC MOS的可靠性来说都是不可或缺的，不存在哪一个更严格。

能不能出一期关于可靠性寿命的主题

答：英飞凌于2020年就推出了关于碳化硅器件可靠性白皮书How Infineon controls and assures the reliability of SiC based power semiconductors，中文版阅读请点击：英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性

最后，大家不要忘记报名哦~

碳化硅直播季第二期6月20日，我们不见不散！

碳化硅直播季主持人