ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”,
助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积!
~通过替换现有的Si MOSFET,可将器件体积减少约99%,功率损耗减少约55%~

<产品阵容>
新产品支持更宽的驱动电压范围(2.5V~30V),而且传输延迟短、启动时间快,因此支持一次侧电源中的各种控制器IC。
* ID=0.5A, VIN=5V, Ta=25℃
<应用示例>
消费电子:白色家电、AC适配器、电脑、电视、冰箱、空调
工业设备:服务器、OA设备
<电商销售信息>
(开始销售时间:2023年7月起)
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产品信息
产品型号:
BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB 评估板信息
评估板型号:
BM3G007MUV-EVK-002(PFC 240W)
BM3G007MUV-EVK-003
BM3G015MUV-EVK-003

<什么是EcoGaN™>
EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。

EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
<术语解说>
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*1) 一次侧电源 -
在工业设备和消费电子等设备中,会通过变压器等对电源和输出单元进行隔离,以确保应用产品的安全性。在隔离部位的两侧,电源侧称为“一次侧(初级)”,输出侧称为“二次侧(次级)”,一次侧的电源部位称为“一次侧电源”。 -
*2) GaN HEMT -
GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si(硅)相比,具有更优异的物理性能,目前,因其具有出色的高频特性,越来越多的应用开始采用这种材料。
HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。 -
*3)Super Junction MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) MOSFET是晶体管的一种,根据器件结构上的不同又可细分为DMOSFET、Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同种类的产品。与DMOSFET和Planar MOSFET相比,Super Junction MOSFET在耐压和输出电流方面表现更出色,在处理大功率时损耗更小。
<产品视频>
EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB系列
<新产品参考资料"Featured Products">

用于AC-DC电源电路的创新型ROHM EcoGaN™解决方案
650V EcoGaN™ Power Stage IC
BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB(PDF:950KB)

