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0.7A 650V集成高压侧和
低压侧栅极驱动器
2ED2106S06F半桥驱动评估板
该评估板采用半桥配置的英飞凌绝缘硅（SOI）栅极驱动器2ED2106S06F和两个 MOSFET（IPD60R360P7）。该电路板旨在测试栅极驱动器的基本功能和特性。
用户可以测试PWM输入-输出性能、检查传播延迟、电流能力和高开关频率性能。该电路板还可用于进行双脉冲测试。
产品型号：
EVAL-2ED2106
2ED2106S06F评估板
所用器件：
栅极驱动器：2ED2106S06F
MOSFET：IPD60R360P7
产品特点
工作电压高达+650V
采用英飞凌SOI技术
负压VS瞬态抗扰度为100V
集成式低欧姆自举二极管
专为自举电路设计
最大电源电压为25V
欠压锁定(UVLO)功能
200ns传播延迟
VS引脚上的逻辑工作电压最高可达-11V
-5V输入端的负电压容差
应用价值
降低BOM成本并节省空间
电平转移损耗降低50%
出色的坚固性和抗噪能力
应用领域
家用电器
电机控制和驱动器
开关电源(SMPS)
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