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Infineon新品丨第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工业级与车规级碳化硅功率器件

Infineon新品丨第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工业级与车规级碳化硅功率器件 增你强
2025-09-04
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导读:第二代750V CoolSiC™ MOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术,在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。

新品

第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 

工业级与车规级碳化硅功率器件


第二代750V CoolSiC™ MOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术,在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱、有源中性点钳位(ANPC)、维也纳整流器和飞跨电容(FCC)等硬开关拓扑中表现卓越。更值得注意的是,第二代产品显著降低了输出电容(Coss),使其在循环变流器、CLLC、双有源桥(DAB)和LLC等软开关拓扑中能实现更高频率的开关操作。


第二代CoolSiC™ MOSFET 750V完美适用于对可靠性、功率密度和效率有严格要求的应用,包括:车载充电机、DC-DC变换器、DC-AC逆变器,以及人工智能服务器、光伏逆变器和电动汽车充电设备。其采用的Q-DPAK封装既能充分发挥碳化硅固有的高速开关特性,同时确保约20W的功率耗散能力。


产品型号:

AIMDQ75R016M2H

AIMDQ75R025M2H

AIMDQ75R060M2H

IMDQ75R004M2H

IMDQ75R007M2H

IMDQ75R016M2H

IMDQ75R025M2H

IMDQ75R060M2H


产品特点


100%雪崩测试验证

业界领先的RDS(on) × Qfr

优异的RDS(on) × Qoss和RDS(on) × QG表现

低Crss/Ciss和高VGS(th)

采用.XT扩散焊

配备驱动源极引脚


应用价值


鲁棒性和可靠性提升

硬开关效率卓越

开关频率更高

抗寄生导通能力出色

行业领先的散热性能

开关损耗显著降低


竞争优势


通过100%雪崩测试,专为汽车与工业应用设计

扩展负栅极驱动电压范围(-7V至-11V)

增强型热性能(高达200℃)

FOM较上一代产品提升20-35%

高VGS(th) + low Crss/Ciss=0V零伏可靠关断

增强型热性能(高达200℃)


应用领域


工业应用场景:

固态继电器与隔离器

固态断路器

电动汽车充电

光伏

不间断电源系统UPS

储能系统ESS

电池化成

电信基础设施AC-DC电源转换

服务器电源单元PSU

汽车电子应用:

高低压DC-DC变换器

车载充电OBC

断路器

  • 高压电池开关

  • 交直流低频开关

  • 高压电子熔断器


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增你强是大中华区领先业界的半导体零组件通路商,我们的使命是成为「技术领先的加值通路商」,持续不断地专注于“以客为尊”的服务理念,用最短的时间协助客户将新产品上市,并提供技术加值服务的整体解决方案。

【声明】内容源于网络
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增你强股份有限公司为台湾半导体零组件通路商的早期先驱之一,营运据点以大中华地区为主。 代理销售产品与服务产业横跨电源供应、网络通讯、消费性电子、工业电子、 汽车电子、AIoT智能物联网、手持装置、信息科技、零售通路等多元领域。
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增你强 增你强股份有限公司为台湾半导体零组件通路商的早期先驱之一,营运据点以大中华地区为主。 代理销售产品与服务产业横跨电源供应、网络通讯、消费性电子、工业电子、 汽车电子、AIoT智能物联网、手持装置、信息科技、零售通路等多元领域。
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