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采用D2PAK-7封装的CoolSiC™
650V G2 SiC MOSFET
第二代CoolSiC™ MOSFET 650V G2分立器件系列推出D2PAK-7引脚封装（TO-263-7），该系列导通电阻（RDS(on)）范围扩展至7mΩ至75mΩ等10款产品可选，为用户提供更精准的选择。
基于第一代技术，第二代CoolSiC™ MOSFET 650V G2采用D2PAK-7封装，进一步优化了系统设计，提供更高性价比、更高效率、更紧凑且更可靠的解决方案。第二代产品在关键性能指标上实现了显著提升，适用于硬开关和软开关拓扑，是AC-DC、DC-DC和DC-AC等常见功率转换器的理想选择。
产品型号：
■IMBG65R010M2HXTMA1
■IMBG65R026M2HXTMA1
■IMBG65R033M2HXTMA1
■IMBG65R060M2HXTMA1
产品框图
产品特点
卓越的品质因数（FOMs）
同类最优导通电阻（RDS(on)）
高可靠性、高品质
灵活的驱动电压范围
最优抗误开启能力
支持单极驱动（VGS(off)=0）
先进的.XT扩散焊接技术
应用价值
降低BOM成本
单位成本最优系统性能
最高可靠性
顶尖效率与功率密度
易于使用
兼容现有供应商全生态
支持无风扇/散热器设计
应用领域
单相组串式逆变器
储能系统
电动汽车充电
电源转换
固态断路器
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