壹周要闻第130期
大半导体产业供应链动态
01
企业动态（7月30日）
过去几年，生成式AI的的繁荣，让英伟达GPU需求大增，公司市值也在过去几年里快速飙升至三万亿美元，但现在，苹果打响了抛弃GPU的第一枪。
据最新消息透露，苹果在人工智能训练中依赖 Alphabet 设计的TPU芯片，而非行业领导者 Nvidia ，根据苹果周一发布的研究论文，该公司将构建新的人工智能软件基础设施，为其即将推出的一系列人工智能工具和功能提供支持。苹果周一表示，其人工智能系统Apple Intelligence 所依赖的人工智能模型是在谷歌设计的处理器上进行预先训练的，这表明大型科技公司正在寻找Nvidia的替代品。该公司刚刚发布的一篇技术论文详细介绍了其自主研发的用于训练的张量处理单元 (TPU) 。此外，苹果周一还发布了适用于部分设备的 Apple Intelligence预览版。
点评：
生成式人工智能系统，例如为 ChatGPT 提供支持的大型语言模型，通常使用数据中心托管的计算机服务器来处理大量数据。对于这种计算能力，大多数大型科技公司都严重依赖装有英伟达芯片的服务器，英伟达发现自己正处于人工智能淘金热之中。大多数最大的科技公司都开发了自己的人工智能服务器芯片，或者正在探索摆脱英伟达束缚的可能性。
苹果现有的芯片实力可能是该公司在人工智能领域比其他科技巨头找到关键优势的途径之一。当该公司于 2010 年首次开始将自己的处理芯片集成到 iPhone 和 iPad 中时，该公司在设计定制芯片方面拥有最悠久的历史和最成功的经验。
苹果在其长达 47 页的论文中没有提到谷歌或 Nvidia，但确实指出其苹果基础模型 (AFM) 和 AFM 服务器是在“Cloud TPU 集群”上进行训练的。这意味着苹果从云提供商那里租用了服务器来执行计算。
02
市场动态（7月30日）
首条8英寸GaN中试线启动，香港三代半产业“跑步”前进
为共同推动香港微电子产业发展，香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司于7月30日举行了香港首条超高真空“第三代半导体氮化镓外延片中试线”启动礼。此次麻省光子技术将入驻新建的微电子中心（MEC），建设香港首条8英寸氮化镓外延片中试线。
据中国新闻网等多家媒体报道，麻省光子技术计划在港投资至少2亿港元，于香港科学园设立全港首个第三代半导体氮化镓（GaN）外延工艺全球研发中心，开发8寸先进GaN外延片工艺及设备平台，用于制作氮化镓光电子和功率器件。
此外，麻省光子技术还将在创新园设立全港首条超高真空量产型GaN外延片中试线，进行小批量生产；预计完成中试并启动香港的GaN外延量产产线建设，带动创造超过250个微电子相关的就业职位，包括外延片及设备设计、生产流程发展等，创造实质经济价值。
点评：
在半导体产业兴起的浪潮中，香港起步很早，出现过向万力半导体、晶门科技等芯片企业，而后受到土地资源限制，加上香港后来偏重于发展金融行业，对半导体行业采取了“不干预”政策，使得香港一度错失了半导体产业的良机。
当下，基于氮化镓的第三代半导体芯片产业，对香港来说，是一个实现弯道超车的机会。在相关技术演进和终端厂商的联合推动下，氮化镓的应用场景也在不断扩展，近期国内外厂商纷纷布局相关技术。而氮化镓外延工艺是发展第三代半导体的关键，能够优化产品性能，提升稳定性，为行业带来革命性突破。
处于大湾区核心位置的香港，不仅拥有地理位置优势，还背靠大湾区，有着产业集群和市场化优势，拥有着成为全球半导体供应链和价值链关键枢纽的巨大潜力。此外，由于美国的出口限制，我国获取芯片制造设备的渠道受到限制，自主发展半导体产业也是时势所趋。
03
企业动态（7月31日）
三星利润暴增1458%
7月31日消息，三星电子发布财报，受益于芯片业务复苏，该公司今年第二季度营业利润为547亿元，同比猛增1462.29%！、三星电子二季度净利润增长六倍，达到9.64万亿韩元，且显著高于分析师预期的7.97万亿韩元。三星电子二季度营业利润增速也达到1458%。
据分析，受人工智能(AI)市场扩大推动存储芯片需求的复苏和芯片价格上升等利好因素影响，三星电子芯片部门业绩大幅改善，带动整体业绩向好。
具体来看，负责半导体业务的数字解决方案(DS)部门销售额为28.56万亿韩元，营业利润6.45万亿韩元。设备体验(DX)部门销售额42.07万亿韩元，营业利润2.72万亿韩元。其中涵盖智能手机的移动体验(MX)业务销售额环比减少，这主要是因为第二季是智能手机销售淡季。
点评：
三星公布的2024年第二季度财报显示，其净利润达到了自2010年以来最快的增长幅度。这一增长主要得益于以下几个方面的因素：1. 有利的存储器市场条件推动了平均销售价格（ASP）的上涨；2. OLED面板的强劲销售；3. 随着生成式AI热潮的兴起，高带宽存储器（HBM）和DDR5（DRAM）等高附加值产品的需求大幅增加，进一步推动了三星的业绩增长。三星的利润暴增无疑将进一步提升其在全球半导体市场中的领先地位，增强其在行业中的话语权和影响力。此外，高额的利润为三星提供了更多的研发资金，有助于其持续推动技术创新和产品升级，进一步巩固其市场地位。
04
企业动态（8月2日）
日月光又要建厂？半导体封测领域“热闹”了
半导体封测大厂日月光投控发布公告称，日本子公司ASE Japan与日本北九州市政府签订了临时协议，取得北九州市若松区Hibikinokita约16公顷的土地，交易金额约34.15亿日元。对于购得土地用途，日月光表示，主要是为了应对市场需求，为扩增产能预作准备。根据协议，ASE Japan预计将在当地建造一座新工厂，但投资金额和具体用途尚未确定。北九州市政府代表表示，如果日月光入驻，会加速九州半导体产业发展。
据日经新闻报道，北九州市一干部表示，该协议附带多项条件，包含可获得日本政府补助。据该人士透露，日月光最初是以能在2026年内投产为条件来挑选设厂用地，不过尚未找到承接兴建工程的承包商(营造商)。此外，日月光此次取得北九州市的土地很有可能会负责台积电熊本工厂的后端制程。
点评：
近些年随着先进封装的迅速发展，可以明显观察到，传统封测厂在市场竞争中逐渐处于一定的落后位置，而以高端先进封装技术为代表的如台积电逐渐逼近市场首位。随着摩尔定律发展受限，先进封装技术也愈发受到重视。据行业数据统计显示，2022年先进封装在整体封装市场的占比已经接近三成，而至今年，占比已近4成，且先进封装增速高于整体封装。
日月光投控一贯坚持的路线都很清晰明确，通过持续的并购与扩产，拥有多样化的封装技术和庞大产能，建立包括芯片前段测试及晶圆针测至后段之封装、材料及成品测试的一体化半导体封装及测试中心服务客户。并在当代，与时俱进发展先进封装，持续强化集团在全球营运布局，继续壮大封装帝国版图。
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市场动态（8月1日）
美国考虑限制HBM和相关设备供应
美国正考虑最早于下个月对中国获取人工智能存储芯片以及能够生产这些半导体的设备实施单方面限制，此举将进一步加剧世界最大经济体之间的技术竞争。据知情人士透露，此举旨在阻止美光科技公司、韩国领先的内存芯片制造商SK 海力士公司和三星电子公司向中国公司供应所谓的高带宽内存 (HBM) 芯片，并强调尚未做出最终决定。这三家公司主导着全球 HBM 市场。
拜登政府正在制定多项限制措施，旨在阻止中国制造商掌握关键技术，包括限制芯片制造设备的销售。这项规定将对人工智能存储芯片施加一系列新限制，而人工智能存储芯片是中美竞争的最新领域。知情人士称，一旦该措施颁布，将涵盖 HBM2 和更先进的芯片，包括 HBM3 和 HBM3E，这是目前正在生产的最尖端的 AI 内存芯片，以及制造这些芯片所需的工具。HBM 芯片是运行 AI 加速器所必需的，例如Nvidia Corp.和Advanced Micro Devices Inc.提供的加速器。
点评：
新限制措施很可能最早于 8 月底公布，作为一项更广泛计划的一部分，该计划还包括对 120 多家中国公司的制裁，以及对各种芯片设备的新限制，并对日本、荷兰和韩国等主要盟友进行豁免。这意味着设备措施将主要针对美国公司。虽然新措施将限制向中国公司直接销售 HBM 芯片，但目前尚不清楚与 AI 加速器捆绑在一起的高端内存芯片是否会被允许在亚洲国家销售。据彭博社报道，三星目前为 Nvidia 的 H20 芯片供应 HBM3，这是一款功能较弱的 AI 加速器，已获准为中国公司提供。
06
企业动态（7月30日）
台积电A14P制程有望启用High-NA EUV光刻技术
据台媒报道，台积电最快在2028年推出的A14P制程中引入High-NA EUV光刻技术。台积电资深副总暨副共同营运长透露，台积电最先进的A16制程预定2026下半年量产，将先在中国台湾投产。而下一代工艺A14预计于2026上半年进入风险试产阶段，最快2027年三季度量产。以上两个节点的主力光刻设备预计仍是ASML的Low-NA EUV机台。
而在A14改进版A14P中，台积电有望正式启用High-NA EUV光刻技术，该节点在时间上大致落在2028年。台积电将在2030年后进入A10等更先进世代，届时会全面导入High-NA EUV技术，进一步改进制程技术的成本与效能。报道中还提到，台积电已完成量产用 ASML High-NA EUV 光刻机的首阶段采购。
07
企业动态（7月31日）
中航红外新一代化合物半导体研制基地项目启动产线调试
据中航红外官微消息，近日，中航红外新一代化合物半导体研制基地项目的生产线调试启动仪式隆重举行，标志着项目建设阶段已基本完成，即将进入全面投产阶段。
据了解，该项目位于上海临港新片区，总投资11.6亿元，总建筑面积约5.8万平方米，由生产厂房及其配套设施等6个单体构成，着力打造国内领先、国际一流的红外探测器研发与生产基地。建成达产后，预计可实现年销售收入10亿元。
项目主要提供从锑化物晶片到探测器成像组件的全套解决方案，将全面提升我国红外探测器自主创新能力，缩小红外探测器与国外技术差距，系统解决国内制导武器与军用光电设备对制冷型探测器的需求。致力于建设国家级工程技术研究中心，计划5年内实现科创板上市，建设国内领先、国际一流红外探测器研发与生产基地。
08
企业动态（8月1日）
09
企业动态（7月29日）
韩国吉佳蓝中国总部落户无锡，将建刻蚀设备研发制造基地
据无锡日报消息，日前，韩国吉佳蓝公司与无锡市签署合作协议，在无锡高新区落户中国总部项目，将在无锡建设半导体刻蚀设备研发制造基地。
据悉，此次吉佳蓝与无锡高新区、市产业集团签约合作在锡落户中国总部项目，将建设刻蚀设备装配生产线和设备产品验证线，同时计划引入纳米压印光刻设备生产，努力打造海外优质半导体装备项目示范标杆，进一步增强无锡集成电路产业核心竞争力。无锡市市长表示，期待吉佳蓝加快建设中国总部项目，尽早发挥带动效应，促进半导体刻蚀设备产业链本地化发展，加速落地更多产业链上下游企业，在锡打造集成电路产业优质生态圈。
据了解，吉佳蓝是韩国科斯达克上市企业，主要产品包括半导体刻蚀机、LED元件刻蚀机、纳米压印光刻设备等，其中LED刻蚀设备出货量多年来在全球市场排名前列。
编辑 | 泓明数字营销部
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