壹周要闻 | 大半导体产业供应链动态#190期

壹周要闻第190期

01

据台媒报道，台积电自9月起陆续通知客户，将于2026年1月起对5纳米以下先进制程执行连续四年的涨价计划，报价平均涨幅约3%-5%。此次调价涵盖2纳米、3纳米、4纳米与5纳米四大技术节点，预计3纳米制程报价将上涨个位数百分比，长期总涨幅或达两位数。针对市场传闻，台积电本月3日回应媒体询问时表示"不评论价格问题"，但重申"定价策略始终以策略导向，而非机会导向"，强调会持续与客户紧密合作以提供价值。

这是台积电罕见采取的长期调价策略。业界分析，此举主因AI芯片与HPC算力芯片持续供不应求，英伟达、AMD、苹果等核心客户均依赖台积电尖端制程。随着AI PC、自动驾驶等应用爆发，5纳米以下芯片需求持续旺盛。台积电方面表示，涨价将全面反映生产成本上升与资本支出增加，并强调"公平对待每位客户"。

台积电"策略导向而非机会导向"的表态，实质是将其绝对技术领先转化为定价体系重塑。通过"连续四年、逐年调升"的透明机制，台积电既锁定长期利润空间，又避免短期逐利形象，维系客户信任。这种"预告式涨价"在代工行业实属罕见，凸显其在3纳米以下节点的不可替代性。对客户而言，成本压力将沿供应链传导。英伟达、苹果等巨头或可通过产品溢价消化成本，但中小芯片设计公司将面临更大生存压力。值得注意的是，台积电强调"公平对待每位客户"，意在维系生态稳定，防止大客户获得特殊待遇而削弱议价公平性。

02

三星电子正全力冲刺英伟达HBM4认证，目标2026年初获得最终通过。据《科创板日报》11月4日报道，三星已完成工程样品交付，预计本月内向英伟达交付最终验证样品。这款HBM4产品采用4nm逻辑基础片搭配第六代1cnm DRAM芯片，传输速率突破11Gbps，远超JEDEC 8Gbps行业标准，将用于英伟达下一代Rubin AI加速器。

为抢占AI内存市场制高点，三星正在平泽园区加速产能布局。P2工厂已完成1c DRAM设备建置，P3、P4工厂设备导入同步推进，其中P4将成为HBM4核心生产基地，预计明年正式投产。若验证顺利，三星计划在2026年下半年启动大规模供货。

不过，三星仍面临良率挑战。业内人士透露，当前HBM4样品良率约50%，需提升至70%以上才能实现规模化生产。竞争对手SK海力士已于今年3月交付样品并率先量产，三星此番提速意在缩小差距，重夺DRAM市场领导地位。

三星本月交付HBM4最终样品，标志着其在高带宽内存领域的追赶进入关键阶段。此举战略意图明确：一方面通过"AI Megafactory"合作捆绑英伟达，另一方面以技术参数优势（11Gbps）实现差异化竞争。然而，50%的样品良率仍是最大短板，即便通过验证，若无法快速提升至70%以上，将难以在2026年下半年放量时与SK海力士抗衡。当前HBM4市场呈现"一超多强"格局，SK海力士凭借先发优势已锁定英伟达主力订单。三星虽技术实力不俗，但在量产节奏上落后近一年。平泽园区产能扩张虽展现决心，但设备调试与良率爬坡需要时间，能否在客户窗口期内完成追赶存在不确定性。

对产业链而言，三星的加入将缓解HBM4供应紧张局面，为英伟达提供第二供货源，降低供应链风险。若三星顺利突破，或将重塑HBM市场格局，推动价格合理化。建议持续关注其Q1 2026良率进展及英伟达认证结果，这将成为决定三星能否在AI内存竞赛中逆袭的分水岭。

03

Arm Holdings CEO雷内·哈斯在11月6日财报会议上回应自研芯片进展时表示，公司在该方向上"已又向前推进了一点点"，但未透露具体时间表。这延续了7月31日宣布的重大战略转型——从传统IP授权模式转向垂直整合，投资开发自有芯片产品。

据悉，Arm首款自研芯片定位数据中心CPU，采用Arm v9架构，通过"计算子系统（CSS）"形式提供实体方案，生产外包给台积电，Meta已成为首批客户。财报显示，CSS产品版税收入高于传统设计，采用该技术客户数量持续增长，成为业绩乐观预期的关键驱动力。哈斯强调，AI计算对低功耗架构的旺盛需求，以及电力瓶颈问题，为Arm创造历史性机遇。

这一战略转型引发行业震荡。为组建芯片团队，Arm已从客户公司挖角人才，直接导致与英伟达、亚马逊、高通等传统客户在订单上形成竞争，削弱其"中立技术供应商"地位。市场担忧这一模式将冲击原有授权生态。

Arm自研芯片的本质是AI时代价值链条的重构。通过CSS实体化，Arm试图突破IP授权天花板，直接参与千亿美元级芯片市场，这符合软银"Stargate计划"构建AI基础设施的战略意图。技术层面，Arm v9架构在数据中心能效比优势显著，Meta率先采用印证其竞争力。

然而，此举暗藏三重风险：其一，客户关系恶化。当Arm从"赋能者"变为"竞争者"，高通、亚马逊等客户可能加速RISC-V等替代架构探索，分化Arm生态；其二，投资回报不确定性。芯片开发动辄数十亿美元投入，当前50%样品良率背景下，生产风险与客户竞争双重压力可能侵蚀利润；其三，中立性丧失。Arm若不能平衡自研与授权业务，可能动摇其"半导体瑞士"的立身之本。

04

近日，针对韩国《朝鲜日报》报道SK海力士可能出售美国子公司Solidigm的传闻，SK海力士于11月4日作出官方回应，明确表示"Solidigm目前业绩良好，且未来业绩预期乐观，目前并无考虑出售计划"，正式否认了市场猜测。

Solidigm是SK海力士于2021年在美国设立的子公司，负责运营其以90亿美元从英特尔收购的NAND闪存及SSD业务。该交易分两个阶段完成，最终于2025年3月获得全部知识产权和研发团队。SK海力士原本计划将Solidigm打造为集研发、生产、销售于一体的独立平台，并推动其在美股上市。然而，受美国对华监管政策收紧影响，位于大连的生产基地最终未被纳入Solidigm体系，导致其成为仅负责销售的公司，IPO吸引力下降。业内人士指出，当前存储芯片市场需求旺盛，Solidigm业绩正值爆发期，或为出售窗口期。但SK海力士坚称将持续持有该业务。

此次传闻折射出全球半导体产业在地缘政治夹缝中的战略困境。SK海力士收购英特尔NAND业务本是补强企业级存储市场的关键布局，但中美科技博弈使其"研产销一体化"的整合计划受阻。将生产实体留在中国子公司旗下，虽规避了监管风险，却也削弱了Solidigm作为独立上市公司的估值逻辑。当前存储市场景气度回升，出售确实可短期回笼资金、优化财报，但SK海力士选择否认，表明其更看重Solidigm在数据中心SSD领域的长期战略价值。

此举也反映韩系厂商的取舍智慧：在AI时代，放弃NAND业务意味着退出企业级存储品牌竞争，将市场让予三星、西部数据等对手；而保留Solidigm则可维持技术协同与客户渠道。未来，如何平衡中美两地运营、重塑Solidigm的资本化路径，将是SK海力士管理层面临的核心挑战。

05

11月3日，沪硅产业（688126.SH）在投资者关系活动中披露，公司300mm硅片产能利用率持续保持较高水平，三季度销量同比增长逾30%，生产线处于满负荷运转状态。目前上海与太原基地合计产能已达75万片/月，稳居国内第一梯队。

然而，产销两旺并未带来相应利润提升。公司坦言，尽管300mm硅片出货量显著增长，但受国内同业竞争加剧影响，产品价格仍承受下行压力。同时，200mm硅片业务因消费电子等应用端需求低迷，产能利用率回升缓慢，销量不增反降约10%。这种结构性分化反映出半导体市场复苏的不均衡性——存储与逻辑芯片用300mm抛光片需求旺盛，而消费类芯片所需的200mm产品仍处去库存周期。

值得关注的是，公司扩产计划持续推进，目标将300mm产能提升至120万片/月，并加速布局高端硅基材料。在行业价格承压、折旧成本高企的背景下，沪硅产业能否通过规模效应与技术突破实现扭亏，将取决于下游晶圆厂产能利用率提升节奏及高端产品认证落地情况。

06

士兰微旗下厦门士兰集宏半导体有限公司近日宣布，总投资120亿元的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目一期已成功投片试产。一期项目投资额70亿元，建设主厂房、动力中心及配套设施，达产后年产42万片，预计2025年四季度实现初步通线并试生产，2026年一季度规模量产。产线以SiC-MOSFET为主要产品，制程覆盖车规级功率器件，将直接面向新能源汽车主驱、光伏逆变、储能系统及充电桩等应用场景。

此次试产标志着士兰微在第三代半导体领域迈出关键一步。士兰集宏是继士兰集科12英寸线和士兰明镓化合物半导体线后，士兰微在厦门布局的第三个重大制造基地，对完善其车规级高端功率半导体战略布局、抢占SiC市场先机具有里程碑意义。随着产能逐步释放，将有效缓解国内SiC芯片供应紧张局面，助力新能源汽车产业链自主可控。

07

武汉新芯集成电路股份有限公司近期在湖北证监局披露IPO辅导备案报告，正式开启上市进程，辅导机构为国泰君安及华源证券。作为长江存储科技控股有限责任公司（持股68.19%）的核心子公司，武汉新芯专注于NOR Flash存储芯片制造，拥有华中地区首条12英寸集成电路生产线，2020年已实现50纳米SPI NOR Flash芯片全线量产。值得注意的是，这家原长江存储全资子公司于今年3月完成首次外部融资，注册资本从57.82亿元增至84.79亿元，引入武汉光谷半导体、中国银行、湖北集成电路产业投资基金等30家知名投资机构。

此举旨在为进入全球第一梯队、面临大规模扩张需求的长江存储提供融资支持和可预见的资本退出渠道。鉴于长江存储体量庞大，独立上市难度较高，选择武汉新芯作为上市主体更具可行性。随着IPO进程推进，这家扭亏为盈多年的芯片制造企业有望成为资本市场聚焦的又一硬核科技标的。