第三代半导体碳化硅长晶及功率芯片项目签约仪式在济宁高新区举行

9月29日下午，第三代半导体碳化硅长晶及功率芯片项目签约仪式在济宁高新区举行，区管委会副主任楚智华出席仪式并讲话。

会议指出，第三代半导体碳化硅长晶及功率芯片项目落户济宁高新区，有利于提高高新区的科技创新能力和国际科技合作水平，为高新区的发展带来最前沿的技术，最先进的理念和推动。济宁高新区将营造更加良好的技术创新氛围，竭力解决项目建设中存在的困难和问题，力促项目早日投产达效。

据了解，该项目核心业务覆盖外延材料、晶圆制造、芯片封装、应用器件四大环节，对丰富新材料产业业态，延伸新材料产业链条，培育新材料产业集群有着极大的促进作用。