TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)即经时介电层击穿，指的是在栅氧化层在偏压条件下工作时，漏电流逐渐增加的过程，最终导致氧化层击穿，使其失去绝缘功能。通常，栅氧化层的可靠性测试是在恒定电压下进行的，其在此条件下能承受的时间即为其寿命。
阳极空穴注入模型
Anode hole injection model，1/E Model
热化学模型
Electrochemical model，E Model
该模型基于热化学反应，认为电场加热导致化学键断裂和缺陷生成。其缺点是不能解释电压的极性特性，而基于电流的模型可以很好的解释TDDB极性相关的特性。
电压幂指数模型
Power Law Model，V-n模型
该模型认为在高电场下，氧化层中缺陷的生成速率与电场强度成幂指数关系。该模型强调电场强度和时间对失效的协同作用，符合许多实验观察到的加速失效行为。缺点是不能解释TDDB与温度的强烈依赖性（激活能较高），也不能解释激活能随电场增加而减小的现象。
指数E1/2模型
Sqrt E Model
DE-G中的TDDB分析
Reliability模块
1.选择要分析的数据表:如图中1的区域，选择要分析的数据表格。
2.数据设置:如图中2的区域，设置测试以及器件的相关信息。
3.数据设置:如图中3的区域，根据预测的失效机理选择合适的拟合模型并填写对应的参数。各个参数意义如下：
Activation Energy (Ea/eV) ：激活能
Target Temperature (°C)中该器件目标工作温度
-
Degradation Criteria (%)（退化标准）
-
Target Failure Probability (%)（目标失效概率）
-
Target Voltage (Vds/V)（目标电压）
4.结果分析:在完成上述相关参数设置后，点击界面中的“Run”，DE-G即可快速实现分析结果的可视化。
β (Area Scaling Factor)形貌因子：通过Weibull分布拟合得到；
γ (E Acceleration Factor)电场加速因子：通过线性拟合计算得到；
Predicted Lifetime(year)@7.7V：在7.7V的目标工作电压下，该器件的 预期寿命，单位为年；
Lifetime Spec(Year)：所设置的器件寿命标准，单位为年；
Pass/Fail：目标工作电压下的预期寿命与Lifetime Spec(Year)的大小比较，若前者大于后者，则为Pass，否则为Fail。在此实例中经过计算，7.7V的工作电压下，该器件的预测使用寿命10.15年，满足寿命标准>10年的要求，因此判断结果为“Pass”。
可视化分析：上图TDDB Weibull plot by Vstress展示了不同工作电压下 Lifetime的Weibull分布对比，Fitting Effect of E Model在不同电压环境下取不同的TTF对数做线性拟合，得到γ电场加速因子，Scaled Weibull Plot表征总体的累计失效率的分布情况。以上视图快速实现TDDB 预测可视化。
随着半导体制造技术的发展，集成电路的特征尺寸不断缩小，给产品可靠性带来很大的挑战，使用高效可靠的分析工具快速分析和定位问题根因，确保产品具有足够的可靠性至关重要。DE-G提供的可靠性分析模型能够准确可靠地进行评估，满足客户对高质量电子产品的需求。
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DataExp-General(简称DE-General)是广立微研发的简洁、快速、灵活的通用数据分析软件。DE-General通过丰富、便捷的数据可视化手段，灵活的数据交互功能，帮助用户在更短的时间内，对数据各个维度进行考察，找出问题的根本原因。
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