FEMAG/PVT软件的主要功能
FEMAG/PVT软件用于模拟物理气相传输法（Physical Vapor Transport process，PVT）晶体生长工艺，可以用于碳化硅单晶体、氮化铝、氧化锌多晶体等的PVT法生长工艺过程的模拟。
FEMAG/PVT软件的典型应用
FEMAG/PVT软件的典型应用是模拟碳化硅单晶的PVT法生长过程。图1是碳化硅晶片。碳化硅（SiC）是一种优质的宽带隙半导体材料，具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子漂移速率等优点，可以满足高温、大功率、低损耗大直径器件的需求。SiC单晶无法经过熔融法形成，而基于改进型Lely法的升华生长技术——物理气相传输法是获得SiC单晶的常用方法。PVT法制备SiC单晶的生长原理是：高纯SiC粉源在高温下分解形成气态物质（主要为Si、SiC2、Si2C），这些气态物质在过饱和度的驱动下，升华至冷端的籽晶处进行生长。过饱和度是由籽晶与粉源之间的温度梯度引起的。图2是利用FEMAG/PVT软件计算碳化硅沉积腔内的温度梯度的结果。
