1000层3D NAND！
Kioxia计划2031年，实现千层3D NAND存储器量产
据Xtech Nikkei报道，日本存储技术巨头Kioxia公司首席技术官宫岛秀文（Hidefumi Miyajima）在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划在2031年实现大规模生产1000层以上的3D NAND存储器。这一雄心勃勃的目标，不仅彰显了Kioxia在半导体领域的深厚实力，也为整个行业指明了未来的发展方向。
当前，提高闪存记录密度的最佳途径就是增加3D NAND器件中的有源层数量。随着技术的不断进步，各3D NAND制造商正竞相采用新的工艺节点，以实现更高的层数。然而，每一层数的增加都伴随着巨大的技术挑战。制造商需要在横向和垂直方向上缩小NAND单元，同时采用新材料，这无疑是一项艰巨的研发任务。
Kioxia作为行业的佼佼者，已经推出了第八代BiCS 3D NAND存储器，这款存储器拥有218个有源层和3.2 GT/s的接口速度，其采用的CBA（CMOS直接键合到阵列）架构更是引领了行业创新。CBA架构将3D NAND单元阵列晶片和I/O CMOS晶片分别制造，再键合在一起，从而实现了位密度的增强和NAND I/O速度的提升，为构建高性能的SSD提供了有力保障。
尽管Kioxia对于CBA架构的某些细节，如I/O CMOS晶片是否包含额外NAND外围电路等，尚未公开，但我们可以预见，随着技术的不断进步，这些细节将在未来逐步揭晓。而对于Kioxia来说，实现1000层以上的3D NAND存储器量产，将是一个里程碑式的成就，它将引领整个行业进入一个新的发展阶段。
三星：远期规划1000层V-NAND
在全球半导体市场经历波动之际，三星电子却选择了一条不同寻常的道路——加大内存技术投资。面对市场的起伏，三星不仅未削减资本支出，反而将赌注押在了下一代制造工艺上，力图通过技术创新巩固其作为领先存储芯片制造商的地位。
三星在DRAM领域的进展令人瞩目。公司宣布的第五代10纳米级制造技术将引领行业潮流，而正在探索的亚10nm DRAM制造更是展现了对未来技术的深度布局。这种前瞻性的投资不仅确保了三星在技术上遥遥领先，也为未来的数据密集型工作负载提供了强大动力。
而在显卡内存领域，三星的GDDR7技术更是引发了业界的广泛关注。高达36 Gbps的速度和约1.728 TB/s的带宽，为图形加速器提供了前所未有的性能提升。这一技术的推出，不仅将推动显卡性能的飞跃，也彰显了三星在内存技术领域的深厚实力。
对于NAND闪存，三星更是展现出了无可争议的领导地位。从正在发货的第7代176层V-NAND，到计划中的第8代230层V-NAND，再到远期规划的1000层V-NAND设计，三星正逐步将NAND技术推向新的高度。这种对技术进步的执着追求，使得三星在NAND市场中的地位愈发稳固。
与此同时，面对市场需求的放缓和竞争对手的减产策略，三星选择了坚持投资、扩大产能的道路。这种策略不仅源于三星对技术领先地位的自信，也反映了其对未来市场的乐观预期。
三星的决策无疑为整个半导体行业注入了新的活力。在激烈的市场竞争中，三星通过不断的技术创新和投资，巩固了其在存储芯片市场的领先地位。未来，随着技术的不断进步和市场需求的增长，我们有理由相信，三星将继续引领半导体行业走向更加辉煌的未来。
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