三星、SK海力士因特殊原因推迟标准 DRAM、NAND 的增产
半导体市场谨慎前行
虽然业界翘首以待“半导体春天”，但三星电子与SK海力士并未如预期般增加生产。
两家公司在DRAM和NAND芯片产量上保持保守，显示了对市场走势的谨慎态度。尽管行业预期今年可能增产，但两家公司在财报电话会议上的表态表明，DRAM产量增长将有限。标准 DRAM 和 NAND（不包括 HBM）市场仍存在不确定性。
市场不确定性因素包括即将到来的美国大选、对华经济政策和贸易法规的潜在变化，以及中东地缘政治紧张局势。在这一背景下，半导体企业选择了稳健的发展策略，以应对可能的挑战。
存储行业信息要点（芯榜整理）：
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DRAM价格与供应情况 -
8Gb DDR4 DRAM价格上个月上涨约17%，但被视为暂时现象，而非需求复苏。 -
美光在台湾的生产设施因地震受干扰，增强了供应商的议价能力。 -
NAND价格自3月以来保持稳定。 -
市场与产能调整 -
三星电子和SK海力士专注于扩大HBM产量，导致标准内存产量减少。 -
两家公司都将超过20%的DRAM生产线转为生产HBM。 -
预测DRAM产出与需求步调一致。 -
HBM市场展望 -
SK海力士和三星的HBM产品需求旺盛，明年的产能几乎全部预订。 -
两家公司均乐观看待HBM及SSD价格。 -
HBM3 DRAM报价自2023年以来飞涨超过5倍，可能影响英伟达的研发成本。 -
英伟达与供应商策略 -
英伟达可能与供应商进行策略性谈判，以期望降低HBM价格。 -
SK集团董事长与英伟达CEO会面，可能与HBM价格策略有关。 -
DRAM公司产能与工艺调整 -
三大DRAM公司增加先进工艺晶圆投入。 -
预计年底前，10纳米级及以上工艺的晶圆将占DRAM晶圆投入总量的40%。 -
35%的晶圆将用于HBM生产，HBM需要的晶圆面积比传统DRAM多60%。 -
主流HBM产品与市场预测