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全球首发!复旦团队研制二维半导体芯片“无极”(RISC-V架构)

全球首发!复旦团队研制二维半导体芯片“无极”(RISC-V架构) 芯榜上海
2025-04-03
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导读:恭喜,复旦大学

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刚刚,二维半导体芯片取得里程碑式突破!

复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室,周鹏、包文中联合团队,成功研制全球首款,基于二维半导体材料的,32位RISC-V架构微处理器,“无极(WUJI)”。

复旦大学周鹏、包文中联合团队取得重大突破,成功研制出全球首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器“无极(WUJI)”,成果于4月2日发表于《自然》期刊。面对摩尔定律逼近极限的困境,二维半导体成为破局关键。团队历经五年攻关,突破工艺瓶颈,使“无极”芯片集成5900个晶体管,反相器良率达99.77%。通过创新工艺及AI优化,实现全链条自主研发。此成果为我国在新一代芯片材料研制中抢占先机,有望推动电子与计算技术进入新纪元。 

相关成果于北京时间 2025 年 4 月 2 日晚间发表于《自然》期刊。



点击看:上海,下决心搞芯片!胡启立是谁?

研究背景:

硅基芯片制造中摩尔定律接近物理极限,二维半导体被视为破局关键。

国际上已掌握二维材料生长技术并制造出高性能基础器件,但集成度最高仅 115 个晶体管(2017 年奥地利维也纳工业大学团队实现),工程化应用存在技术瓶颈。


技术突破:

高集成度:基于二维半导体材料(二硫化钼 MoS₂)制造,集成 5900 个晶体管,实现二维逻辑芯片最大规模验证纪录。

高良率:反相器良率高达 99.77%,具备单级高增益和关态超低漏电等优异性能。


工艺创新、架构优势

采用柔性等离子 (Plasma) 处理技术等低能量工艺,避免高能粒子对材料损害。

通过 “原子级界面精准调控 + 全流程 AI 算法优化” 的双引擎,实现从材料生长到集成工艺的精准控制,筛选出最优工艺参数组合。

采用 RISC-V 架构,对接全球技术标准,可自主构建用户生态,不受制于国外厂商架构和 IP 专利

技术验证:在 1kHz 时钟频率下,千门级芯片可串行实现 37 种 32 位 RISC-V 指令,满足 32 位 RISC-V 整型指令集(RV32I)要求,集成工艺优化程度和规模化电路的验证结果达到国际同期最优水平。

RISC-V作为一种开源简化指令集计算架构,已逐渐成为当前芯片研发领域的主流选择。本次研发的芯片正是采用RISC-V架构作为设计基础。


自主研发与产业化前景:

实现从材料、架构、流片的全链条自主研发,二维半导体集成工艺中 70% 左右工序可沿用现有硅基产线成熟技术,核心二维特色工艺构建包含 20 余项工艺发明专利的自主技术体系。

未来计划进一步提高芯片集成度,寻找搭建稳定工艺平台,推动与现有硅基生产制造线融合,实现规模化商业应用。

二维芯片有望适用于物联网、边缘算力、AI 推理等前沿计算场景,推动人工智能更广泛应用。


论文信息

复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、浙江绍芯实验室(绍兴复旦研究院)、微电子学院周鹏和包文中为论文通讯作者,博士生敖明睿、周秀诚为论文共同第一作者,研究得到多项目资助和教育部创新平台支持,论文链接:https://www.nature.com/articles/s41586-025-08759-9 。


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