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800mA 快充 +±1% 电压精度！TI BQ25173：超级电容线性充电的 “精准玩家”

800mA 快充 +±1% 电压精度！TI BQ25173：超级电容线性充电的 “精准玩家” 集成电路大数据平台
2025-10-31
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导读：800mA 快充 +±1% 电压精度！TI BQ25173：超级电容线性充电的 “精准玩家”
本期是平台君和您分享的第344期内容
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在便携式电子、车载应急供电等场景中，超级电容凭借快速充放电、长循环寿命的特性，成为备用电源的优选方案。但它对充电器的要求极为苛刻：既要快速补能，避免等待耗时；又要精准控压控流，防止过充损伤元件。

今天平台君要介绍一款由TI（德州仪器）推出的 BQ25173👈 线性充电器，恰好以 “800mA 快充能力” 与 “±1% 高精度调控” 的双重优势，完美解决效率与可靠性的平衡难题。


BQ25173管芯文字图（图源：IPBrain平台）

BQ25173的管芯尺寸为1.11 mm x 0.77 mm（不含划片槽），多晶层数为1层，金属层数为3层，管芯文字为TI BQ2517XA1 2020。

Chip Characteristics

01. 芯片特点

BQ25173 是一款集成式 800mA 线性充电器，适用于面向空间受限型应用的 1-4 芯超级电容器。该器件具有为超级电容器充电的单电源输出。

针对不同容量的超级电容，BQ25173 支持 10mA~800mA宽范围充电电流调节，仅需通过 ISET 引脚外接电阻即可设定。

更重要的是，芯片在大电流充电时并非 “盲目快充”，在充电期内，内部控制环路实时监测 IC 结温，当温度超过阈值时自动降低充电电流，兼顾快充效率与器件安全。可为完全放电的超级电容器提供快速充电。


BQ25173功能框图（图源：芯片规格书）

BQ25173 具备 ±1% 的充电电压精度与  ±10% 的充电电流精度，确保充电过程的精准可控。

在非充电状态下，BQ25173 的功耗控制堪称优秀：自动休眠模式下输出漏电流仅 350nA，充电断开时的输入泄漏电流低至 2µA，大幅延长设备待机时间。


顶层概貌图（图源：IPBrain平台）

BQ25173 内置完善的保护机制，包括 18V 输入过电压保护、1000mA 过电流保护、125℃结温调节与 150℃结温关断保护，同时具备 ISET 引脚短路保护功能。

其裸露焊盘设计增强了散热性能，配合 - 40℃~125℃的宽工作温度范围，可适应严苛的工业与车载环境。

在正常运行期间，OUT 电流应调节至 ISET 编程值。但是，如果 ISET 引脚上发生短路，OUT 电流可能会上升到意外的电平。

如果 OUT 引脚上的电流超过 IOUT_OCP，器件会在抗尖峰脉冲tOUT_OCP_DGL后关闭，并且器件会保持闭锁状态。需要输入电源或CE引脚切换才能重新启动。


过流保护（图源：芯片规格书）

Detail Diagram

02. 器件细节图
电阻（图源：IPBrain平台）


MOS管（图源：IPBrain平台）


DMOS管（图源：IPBrain平台）

Application Scenarios

03. 应用场景

  1. 便携式智能设备：在智能仪表、条形码扫描仪中，芯片的小尺寸设计与低功耗特性，可满足设备小型化与长待机的双重要求。

  2. 医疗与工业设备：便携式医疗仪器对电源稳定性与低噪声的需求，以及工业手持终端的严苛环境适应性需求，均能通过其精准调控与可靠保护机制得到满足。

  3. 影像采集设备：仪表板摄像头等设备的备用电源充电场景中，其快速充电能力与状态监测功能，可确保设备在断电时的应急供电可靠性。

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