作为第三代半导体产业的核心材料，碳化硅衬底是本次调研的焦点，公司在该领域实现多维度突破：
1. 中试线通线：全流程自主化，标志技术升级
9 月 26 日，公司子公司浙江晶瑞 SuperSiC 首条 12 英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线，实现晶体生长、加工、检测全环节设备自主研发与 100% 国产化。该中试线覆盖晶体加工、切割、减薄、倒角、研磨、抛光、清洗、检测全流程工艺，核心设备如高精密减薄机、倒角机、双面精密研磨机均为公司历时多年自研，性能指标达行业领先水平。此举标志着晶盛机电在全球 SiC 衬底技术领域从 “并跑” 迈向 “领跑”，正式形成 “12 英寸 SiC 衬底装备 — 材料” 完整闭环，彻底解决关键装备 “卡脖子” 风险。
2. 产能布局：国内外联动，强化全球供应能力
为匹配碳化硅产业增长需求，公司已构建多区域产能矩阵：
国内：在上虞布局年产 30 万片碳化硅衬底项目，在银川投建年产 60 万片 8 英寸碳化硅衬底片配套晶体项目；
海外：基于全球市场前景，在马来西亚槟城投建 8 英寸碳化硅衬底产业化项目，进一步强化全球供应能力，巩固技术与规模双重优势。
在半导体装备国产替代浪潮下，公司业务进展显著，订单与产品创新双丰收：
1. 订单储备：截至 6 月末未完成合同超 37 亿元
受益于半导体行业持续发展及国产化进程加快，公司半导体业务需求旺盛。截至 2025 年 6 月 30 日，公司未完成集成电路及化合物半导体装备合同超 37 亿元（含税），为后续业绩增长提供有力保障。
2. 产品突破：覆盖集成电路与化合物半导体，填补国内空白
集成电路装备：自主研发的 12 英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户，关键指标（电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度等）达国际先进水平；12 英寸干进干出边抛机、双面减薄机推进客户验证；12 英寸硅减压外延生长设备实现销售，其单温区 / 多温区闭环控温、多真空区间精准控压技术，满足先进制程要求；开发的先进封装用超快紫外激光开槽设备，填补国内高端紫外激光开槽技术空白。
化合物半导体装备：紧抓碳化硅产业链向 8 英寸转移趋势，加强 8 英寸碳化硅外延设备、6-8 英寸碳化硅减薄设备市场推广，同步推进碳化硅氧化炉、激活炉、离子注入设备客户验证，为规模化量产奠定基础。
光伏装备：在新能源光伏领域持续创新，完善金属腔、管式、板式三大平台设备体系，针对 TOPCon 提效与 BC 技术创新，推进 EPD、LPCVD、PECVD、PVD、ALD 等设备的市场推广与验证，其中 EPD 设备保持行业领先优势，ALD 设备验证进展良好。
公司通过子公司布局半导体产业链上游关键环节，实现 “装备 — 零部件 — 耗材” 协同发展：
零部件（晶鸿精密）：以核心零部件国产化为目标，强化精密加工、特种焊接、半导体级表面处理等核心能力，产品涵盖真空腔体、精密传动主轴、游星片、陶瓷盘等高精度零部件，客户群体持续拓展，市场规模稳步提升。
耗材：凭借技术与规模优势，实现半导体石英坩埚的国产替代，产品市占率领先并逐步提升，成功突破大尺寸半导体合成砂石英坩埚技术瓶颈。同时，延伸布局石英制品等关键辅材耗材，相关产品通过客户验证并进入产业化阶段。
自成立以来，晶盛机电凭借技术创新、产品品质与专业服务，在半导体与光伏领域积累了优质客户资源，主要合作方包括 TCL 中环（002129）、长电科技（600584）、士兰微（600460）、芯联集成、有研硅、上海新昇、奕斯伟、合晶科技、金瑞泓等半导体龙头，以及晶科能源、通威股份（600438）、晶澳科技（002459）、天合光能、双良节能（600481）等光伏巨头。公司与客户保持长期战略合作，共同推动行业技术迭代与产业升级，其 “大尺寸半导体级直拉硅单晶生长装备关键技术研发及产业化” 项目还曾荣获浙江省科技进步一等奖，品牌认可度与行业地位显著。
从本次机构调研内容来看，晶盛机电在业绩增长、碳化硅衬底全链条国产化、半导体装备多品类突破、产业链配套完善等方面表现突出，不仅彻底打破关键装备与材料的进口依赖，更通过产能扩张与客户绑定，巩固全球市场竞争力。未来，公司将持续以技术创新为核心，推动第三代半导体、半导体装备等领域的国产替代进程，为我国战略新兴产业高质量发展提供关键支撑。
来源：同花顺财经
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