年度功率器件-GaN行业优秀奖
全球功率和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技荣获“年度功率器件-GaN行业优秀奖”，表彰其在GaN技术方面的杰出成就，认可其创新性的300mm氮化镓 (GaN) 功率半导体晶圆技术。
英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于200mm晶圆，300mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍，效率也显著提高。
300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆
在稍早举行的第十五届“亚洲电源技术发展论坛”上，英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区市场总监程文涛先生发表题为“英飞凌为AI数据中心提供先进的高能效电源解决方案”的主题演讲。
基于GaN的功率半导体正在工业、汽车、消费、计算和通信应用中快速普及，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统等。先进的GaN制造工艺能够提高器件性能，为终端客户的应用带来诸多好处，包括更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。
英飞凌的获奖表彰了公司的创新精神和推动功率半导体市场增长的能力。凭借其完整的GaN和功率器件产品组合，英飞凌能够支持客户在多个高增长应用领域，并继续推动功率半导体行业的发展。
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