近日，哈尔滨工业大学传来令人振奋的消息，该校樊继壮教授团队研发的“放电等离子体极紫外光刻光源”技术取得了重大突破，并荣获黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛一等奖。

极紫外光刻是下一代实现更小刻线的光刻技术之一，而极紫外光源则是其关键所在。传统的光刻巨头 ASML 主要采用激光轰击锡液滴产生等离子体从而获得极紫外光的技术路线，而哈工大团队的“放电等离子体极紫外光刻光源”则另辟蹊径，基于电能产生等离子体来提供紫外光。

樊继壮教授团队研发的这项技术，成功实现了13。5纳米极紫外光的稳定输出，且具有诸多显著优势。在成本方面，与 ASML 的激光 - 锡液滴技术路线相比，该技术主要依赖相对常规的电能供应与较为简单的放电设备架构，无需复杂且昂贵的高功率激光器系统以及高精度的锡液滴产生与控制装置，大大降低了设备采购成本，同时也减少了对国外特定关键部件的依赖，使后续维护和升级成本更易控制，这对于国内大规模光刻产业应用意义重大。

在效率层面，经过优化，电能产生等离子体的过程在时间响应和稳定性上表现出色，能够实现较高的脉冲频率，相比一些传统技术，单位时间内可产生更多次数的有效极紫外光脉冲，这有利于提升光刻生产过程中的单位时间光刻加工面积，进而提高生产效率，为半导体芯片制造企业在产能提升和成本控制方面提供了有力支持。

此外，该光源还具有体积小巧等特点，其结构简单紧凑，能量转化率高。这一技术突破不仅打破了 ASML 在 EUV 光源领域的垄断地位，为我国芯片制造业的自主发展提供了强有力的技术与物质支持，更在我国光刻技术发展进程中具有关键意义，为国产光刻技术开辟了新路径，有望推动我国半导体制造技术迈向更高水平，逐步缩小与国际先进水平的差距，增强我国在全球半导体产业链中的自主可控能力和竞争力。

不过，尽管取得了重大突破，但从技术实验到真正的量产，仍面临诸多挑战，如光源的稳定性、系统的集成度等问题，还需要进一步优化技术。