精华合辑
SiC MOSFET在SST中的应用全景
逐集精读
深入8大专题，构建完整知识框架
1
SST的拓扑方案是怎样的？
内容精要：视频从SST在数据中心“直挂10kV”的核心优势讲起，解析了其主流“前级CHB+后级LLC”的两级拓扑。高远老师指出，由于10kV器件尚不成熟，现实方案必须采用大量1200V-2000V器件进行模块级联，导致系统复杂度和器件数量激增，这是理解当前SST设计的基础。
2
为什么SST中要用SiC？
内容精要：本集通过对比Si SJ-MOS、Si IGBT与SiC MOSFET的特性，清晰论证了SiC的不可替代性。SiC不仅胜任高频DC-DC，其电阻性的导通特性在AC-DC轻载时也能提升效率。无论是多单元还是未来的单级SST，SiC都是实现高性能的关键使能器件。
3
SiC在SST中有哪些应用挑战？
内容精要：聚焦三大实战挑战：串扰（因测量难题被低估的直通与栅极损伤风险）、共模电流（高速dv/dt通过寄生电容冲击控制电路）与热管理（高功率密度下热应力集中）。高远老师提醒，这些由SiC高开关速度衍生的问题，是工程设计中必须攻克的核心难关。
4
如何评价SST的水准？
内容精要：提出了一个犀利而实用的观点：“直接问DC-DC开关频率”。开关频率（如80kHz以上）是SiC驾驭能力、磁设计与散热、绝缘工艺及EMI处理技术的综合体现。频率过低，意味着在数据中心追求的高功率密度竞争中可能不具备优势。
5
SST中SiC要用工业级还是车规级？
内容精要：针对数据中心严苛的可靠性要求，本集深入探讨了认证标准与真实可靠性之间的差距。高远老师强调，不能仅仅满足于通过AEC-Q101或AQG-324，而应进行超越标准的考核，如模拟真实工况的“无功老化”测试，这才是保障由数百颗SiC芯片构成的SST系统长期可靠的关键。
6
SST靠低价SiC降本行得通吗？
内容精要：理性剖析SST降本之道。视频指出，通过提升开关频率（减小磁元件体积）、采用分立器件、优化热设计是更可靠的技术降本路径。单纯追逐低价芯片，可能带来未知的可靠性风险并影响研发进度，在当下并非明智之举。
7
支撑SST的核心技术是什么？
内容精要：系统总结三大技术支柱：器件、磁、绝缘。其中特别强调了高压绝缘的复杂性，指出必须同时抑制局部放电，否则将导致绝缘材料持续老化，决定整个系统的寿命。这三点是任何SST研发团队必须构建的核心能力。
8
如何组建SST研发团队？
内容精要：从实验室走向产业化，团队如何搭建？高远老师基于自身经验，拆解了所需电路、磁、软件、绝缘、热管理等八大知识模块，并建议从中高压变频、UPS、充电桩等领域吸纳有经验的工程师。同时，寻找一家能合作开发高频变压器和模块壳体的可靠供应商也至关重要。
合作对接
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