

本工作提出一种硫辅助退火法对g-C3N4纳米片进行二次改性,在保持g-C3N4原始形貌结构不变的条件下实现了其能带结构的可控调节。实验和理论计算结果表明,改性后的硫掺杂g-C3N4具有更高的光吸收率及电荷分离效率,在可见光照下表现出明显提升的产氢及产双氧水能力。
1. 本研究通过硫辅助退火法成功地对石墨相氮化碳(g-C3N4)纳米片进行硫掺杂二次改性,并保持材料原形貌结构基本不变。
2. 硫原子的引入促进了g-C3N4层间电子转移,并有效地增强了g-C3N4的电荷分离效率及表面电荷传递效率。
3. 确定了硫原子掺入的方式,并结合DFT理论计算揭示了硫掺杂对g-C3N4各项性能的影响。
掺杂改性及形貌调控是两种优化g-C3N4催化能力的有效手段,但二者很难同时进行。现有大量关于g-C3N4形貌控制的研究,开发出了各种具有独特形貌结构及特殊性能的g-C3N4。而常用的掺杂改性法需在g-C3N4聚合前对其前驱体进行组分调控,这一手段无法应用于已有的各种形貌g-C3N4的再改性。因此开发出一种能直接对成品g-C3N4进行掺杂改性,且不会破坏其原有形貌结构的方法是必要的。
结构及元素组成研究
本工作分别制备了块状g-C3N4(B-CN),剥离后的片状g-C3N4(S-CN),及硫掺杂后的片状g-C3N4(SS-CN)。XRD分析表明剥离后的片状g-C3N4有更致密的层状堆垛结构,有利于加快层间电子传递。通过FTIR光谱及XPS分析推测出了硫掺杂位点。
SEM形貌测试
所制备材料的SEM图表明,通过剥离处理后的g-C3N4呈现纳米片状结构,而该片状结构并不如因硫掺杂处理而改变。
图2. SEM images of (a, b) B-CN, (c, d) S-CN and (e, f) SS-CN.
吸光性能测试及能带结构分析
紫外可见漫反射测试表明,g-C3N4的剥离处理会使其吸收边发生一定程度的蓝移,而硫掺杂不仅将其吸收边恢复到剥离前位置,还激发出一个新的吸收带,有效的增强了吸光能力。结合价带谱、肖特基测试,得出了所制备材料的相对能带位置,发现硫掺杂会引起价带的上升及导带位置下降,从而降低禁带宽度。DFT计算揭示了硫掺杂对能带结构的影响机理,所掺入硫原子的p轨道参与催化剂价带及导带的形成,从而造成价带顶及导带底的相应偏移。

可视化能带结构分析
通过DFT模拟对硫掺杂前后g-C3N4的价带顶及导带底进行可视化分析,可以明显看到硫掺杂位点处参与形成价带及导带的轨道密度增大。

电荷分离性能测试
PL光谱和荧光寿命测试表明硫掺杂处理能显著提升g-C3N4光生电荷分离效率,并延长光生电荷寿命。电化学阻抗及光电流测试则表明改性后的g-C3N4拥有更高的电子传导及光电响应能力。

表面电荷传递效率及产H2产H2O2测试
通过设计光电流实验,近似计算了所制备催化剂的表面电荷传递效率及载流子密度。结果表明硫掺杂处理后的g-C3N4拥有显著提升的表面反应活性。结合DFT差分电荷模拟,发现硫掺杂位点处电荷密度明显提升,表明硫掺杂位点为g-C3N4表面电荷富集区,可加速表面电荷的传递。费米能级计算则表明硫掺杂能降低g-C3N4功函数,使其表面电子更容易逸出参与反应。产H2及产H2O2测试证实了硫掺杂对g-C3N4催化活性的显著提升。

本研究开发了一种简单易行的对g-C3N4进行二次改性的硫掺杂法,探讨了硫杂原子对g-C3N4各项性能的影响,并结合DFT理论计算揭示了其影响机理,深化了对半导体光催化剂掺杂改性的机制认识。本工作提出的改性方法有望应用于各种形貌结构的g-C3N4的再次改性,也可为其它掺杂改性工作提供借鉴及研究思路。
湖南大学汤琳教授课题组主要从事河流湖泊污染湿地和水环境修复、环境污染物动态监测、固体废物资源化等领域研究。研究领域:(1)基于环境功能材料的河湖水体和湿地修复机制;(2)改性生物炭材料用于重金属污染河湖底泥修复;(3)环境生物传感与重金属/持久性有机物动态监测技术;(4)固体废物处理与资源化。在Chemical Society Reviews、Progress in Materials Science、Advanced Functional Materials、Nano Energy、Environmental Science & Technology、Water Research、Applied Catalysis B-Environmental、Environmental Science: Nano 等高水平SCI期刊上发表论文100余篇,H-Index 53。
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