XT26G01C 是一款 1G-bit(128MB)的 SPI NAND Flash 存储芯片,虽然名字听起来很专业,但它正默默地为千万级的电子设备提供数据存储服务。
从智能穿戴设备、工业控制器、到车载电子系统,它都扮演着重要角色。与其他存储方案相比,XT26G01C(XT26G01CWSIGA) 凭借其高效能、小体积、低成本的特点,成为工程师的"隐形选手"。
性能方面:快速且稳定
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容量结构:精巧而实用
总容量:128MB(1024 Blocks) ├─ 块大小:128KB(64 Pages/Block) └─ 页大小:2176 Bytes(2048 + 128 Bytes) ├─ 主数据区:2048 Bytes └─ 备用区:128 Bytes(用于ECC校验等)
这样的组织结构使得芯片既能存储大容量数据,又能通过灵活的分页机制支持高效的随机访问。
XT26G01C 采用标准的 SPI 串行接口,支持三种工作模式:
1️⃣ 标准 SPI 模式
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四线接口(CLK、CS#、SI、SO、WP#) -
数据传输速率较低,但接线简单 -
适合成本敏感的应用场景
2️⃣ Dual SPI 模式
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两线并行数据传输(SIO0、SIO1) -
传输速率翻倍 -
完全兼容标准 SPI
3️⃣ Quad SPI 模式(推荐)
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四线并行数据传输(SIO0~SIO3) -
传输速率提升 4 倍 -
实现高达 416 Mbits/s 的数据带宽 -
需要启用 QE 位才能激活
接口引脚分布: Pin1 ← CS#(芯片选择) Pin2 ← SO/SIO1(数据输出) Pin3 ← WP#/SIO2(写保护) Pin4 ← VSS(地) Pin5 ← SI/SIO0(数据输入) Pin6 ← CLK(时钟) Pin7 ← HOLD#/SIO3(暂停) Pin8 ← VCC(电源 2.7~3.6V)
✅ 内置 ECC 纠错码
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支持 8 位纠错能力(每 512 字节) -
自动检测并纠正读取过程中的数据错误 -
可选启用/禁用,提供灵活的性能-可靠性平衡
✅ 块级写保护
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支持全芯片或部分块的写保护 -
BRWD 硬件保护模式:当 WP
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默认上电后全芯片锁定,需主动解锁
✅ 8KB OTP 区域
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一次性可编程存储区 -
适合存储设备序列号、密钥等不可更改的信息 -
编程后可永久锁定,防止篡改
✅ 128-bit 唯一ID
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每片芯片出厂时已烧录独特标识 -
支持防克隆、防伪应用
📖 读取操作
步骤1:发送 PAGE READ 命令(13h) ↓ 芯片忙碌 120~280 μs 步骤2:轮询状态寄存器直到操作完成 ↓ 步骤3:发送 READ FROM CACHE 命令读出数据 (支持 03h/0Bh/3Bh/6Bh/BBh/EBh 多种变体)
小技巧:支持预读功能,连续读取多个页面时,速度可提升 2 倍以上!
✏️ 编程操作
步骤1:发送 WRITE ENABLE 命令(06h) ↓ 设置 WEL 位 步骤2:发送 PROGRAM LOAD 命令(02h 或 32h) 将数据加载到 2176 字节的缓存寄存器 ↓ 步骤3:发送 PROGRAM EXECUTE 命令(10h) 将缓存数据写入存储阵列 ↓ 芯片忙碌 450~1400 μs 步骤4:轮询状态确认写入成功
注意:同一页面内的部分编程操作不能超过 4 次,须遵循顺序编程原则。
🗑️ 擦除操作
步骤1:发送 WRITE ENABLE 命令(06h) ↓ 步骤2:发送 BLOCK ERASE 命令(D8h) 指定要擦除的块地址(24位) ↓ 芯片忙碌 4~10 ms 步骤3:轮询状态确认擦除完成
便利之处:擦除过程中仍可读取缓存数据,无需等待!
工作温度:-40°C 至 +85°C(工业级) 存储温度:-55°C 至 +125°C 电源电压:2.7V ~ 3.6V(单电压供电) 工作电流:25~40 mA(根据操作类型) 待机电流:150~200 μA(极低功耗) 数据保留期:10 年(无需刷新) 工作可靠性: ├─ 最小有效块数:1004/1024 └─ 坏块标记:出厂已识别,系统可自动绕开
这意味着即使在恶劣的工业环境中,XT26G01C 也能保持稳定的性能。
XT26G01C 凭借其出色的综合性能,广泛应用于:
🔹 物联网设备 ← 低功耗、紧凑设计 🔹 工业控制系统 ← 宽温度范围、可靠性高 🔹 消费类电子 ← 高速访问、成本优化 🔹 车载电子 ← 抗干扰、数据完整性有保障 🔹 医疗设备 ← 超长数据保留期 🔹 嵌入式系统 ← 灵活的接口配置
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| WSON8 |
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| TFBGA |
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✅ 全系 RoHS 合规、无卤素,符合国际环保标准。
✓ 硬件设计
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确保 CLK 引脚的上升/下降时间 ≥ 0.1V/ns -
CS
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数据输入的建立/保持时间分别为 2 ns 和 3 ns -
电源去耦:靠近芯片放置 0.1 μF 陶瓷电容
✓ 固件开发
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上电初始化:等待至少 1 ms,确保芯片稳定 -
状态轮询:通过 GET FEATURES 命令监测 OIP 位判断操作是否完成 -
坏块管理:系统启动时扫描备用区第一字节(2048),检查 "00h" 标记 -
ECC 配置:根据应用需求决定是否启用内置 ECC
Q:Quad SPI 模式下速度能提升多少? A:理论上 4 倍。实际应用中可达 416 Mbits/s,比标准 SPI 快得多。
Q:芯片支持在线编程吗? A:完全支持。通过 SPI 接口即可实现系统在线编程和擦除,无需专用编程器。
Q:如何确保数据不被篡改? A:结合 OTP 区存储关键数据和 BRWD 硬件写保护,可实现强制只读。
Q:能用在高温环境(如 100°C)吗? A:不建议长期工作在 +85°C 以上。建议咨询原厂获取扩展工作温度版本。
XT26G01C 以其高集成度、灵活的接口、完善的安全机制和出色的性价比,已成为嵌入式和物联网领域的存储解决方案。无论你是在优化产品成本,还是在追求极致性能,这款芯片都值得你深入了解。
如果你对 XT26G01C 的应用有任何疑问,或者需要针对你的项目进行定制化的设计方案,欢迎联系我们的技术团队!
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