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需完成磁控溅射PVD、HMDS预处理系统、低气压气相沉积LPCVD、原子层沉积ALD、等离子体增强化学气相沉积系统、反应离子束刻蚀ICP-RIE、等离子体干法去胶机、IBE刻蚀机、微束定点离子精修系统、俄歇光电子能谱仪、Flip-chip倒装焊、二次离子质谱仪、X射线光电子能谱系统、尾气处理设备等设备水、电、气、排风等二次配方案设计及施工；一层氦气系统及二层氮气新增；二层备件周转间气路与电路新增；A08、A18房间彩钢板墙体拆除及恢复、一层西北侧土建墙体拆除恢复及钢制防火门安装、二层板换机组进水端替换以及A03、A13房间气路改造及设备入场准备等。
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3D高清内窥镜摄像系统由IMAGE1 CONNECT控制主机模块、IMAGE1 D3-LINK 模块、电源线和脚踏开关组成。
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CCD类型：背部薄化, 背照射, 科学一级CCD芯片 CCD工作温度：电制冷方式，成像时工作温度达到绝对-90℃，温度可视化 CCD尺寸：13.3 x 13.3mm；像素100万以上 量子效率：>85%（500-700nm）, >30%（400-900 nm） 最少检测光子：100光子/秒/角度/平方厘米 最小视野：5 x 5 cm 最大视野：12.5 x 12.5 cm 高品质滤光片，透光率达到95%，滤光片采用多层硬性涂料 透镜：f/.95 - f/16, 50 mm 载物台温度：20-40℃ 电脑工作站：2.8 GHz, 4 GB RAM, RW CD/DVD,250 GB HD, 24” flat screen monitor 250 GB HD, 24” flat screen monitor 成像及分析软件：标备1个图像获取软件，4个成像数据分析软件。
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试剂类型：一次性卡套集成流路 反应管：2 套，可独立加热和冷却，反应管温度控制范围最高至220℃三位执行旋转阀：>30 个，任意方向旋转,角度定位HPLC 系统：内置，带紫外检测器及放射性检测器，可在一次放射性合成中利用 HPLC 系统进行多次分离，合成结束自动冲洗合成 FDG：1 套试剂盒可生产 4批次，可实现连续多批次生产、合成时间≤25 分钟FDG：合成效率≥70%(未校正)，残余辐射<0.5%，放化纯≥98%含自动清洗、自动检测功能可合成 18F、11C、68Ga、64Cu、Lu177 标记多种示踪剂 F18-FDOPA：产率≥35%(未校正), 残余辐射<1%,合成时间≤70 分钟。
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1.滑环类型：低压滑环；2.冷却方式：风冷或水冷：3.扫描机架孔径≥80cm；4.高压发生器功率≥100KW；5.大管电流≥800mA；6.扫描时间：≤0.5秒/360度（512X512距阵）；7.最大扫描视野≥50cm；8.最大显示视野≥70cm。
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左右手，force: translation 20.0 N, rotation 400 mNm, gripper 8.0 N. Power: 100V - 240V. Resolution: translation < 0.0015 mm, rotation 0.013 deg, gripper 0.006mm.
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1、总体参数 1.1 通道数量：135个 1.2 质谱分辨率（Mass Resolution）＞400 1.3 成像模式下的仪器响应：Lu175信号>500 counts /shot 1.4 抗体标签数量：提供40多种商业化标签。1.5 仪器校准方法：利用校准玻片(tuning slide)信号对各个参数进行自动校准 1.6同时具备的质谱流式悬液检测功能，系统可以在成像模式和悬液检测模式之间切换 2、成像进样系统 2.1 使用高纯氩气做为组成气体（make up gas）,流速约为0.8~1.0L/min 2.2 使用高纯氦气和氢气充满剥蚀小室（Ablation Chamber）流速约为0.14~0.30L/min; 2.3 样本兼容性：兼容石蜡包埋组织切片的制作方法（FFPE），冰冻切片、甩片、爬片等不同形式的样本；支持切片厚度：≤7μm 2.4 内置光学显微镜，可以对大范围的视野进行光学扫描成像，并自动将扫描的结果拼接。
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GPU多模态数据智能推理集群(配置≥2颗16核以上处理器，2GB以上缓存，配置≥512TB DDR4内存，≥24个DDR4内存插槽，最大支持3TB内存，≥2块960GB SSD硬盘，≥2块双口万兆以太网卡（含SFP+模块)，≥2块GPU专用卡。配套：智能化影像教学应用模型，1）构建医学影像资源中心，将各医院临床影像病例进行清洗筛选出所需要的病例影像资源，为专家/医生/学生提供影像素材。2）使用影像互动系统、远程教学系统等提供获取远程教育资源的途径，并依托大数据和人工智能，方便影像教学。)；GPU 多模态数据智能训练集群(配置≥4颗20核以上处理器，8GB以上缓存，配置≥1TB DDR4内存，≥24个DDR4内存插槽，最大支持6TB内存，≥2块960GB SSD硬盘，≥2块双口万兆以太网卡（含SFP+模块)，≥2块GPU专用卡。配套基于GPU的智能训练模块：1）多组学数据智能整合,对文本、影像、语音等多模态医学数据构建智能化引擎；2)构建医疗知识管理技术体系，通过数据+知识双驱动以实现医疗知识图谱的自动演化更新；3）适配GPU的自主可控数据库，从底层保证系统的安全性；4）提供多种开发接口及技术框架；5）数据的存储支持栅格数据和栅格/矢量分析。
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购置1套。实现8寸及以下晶圆的深硅刻蚀和介质刻蚀，其中深硅刻蚀最大刻蚀速度不小于1微米/分钟，最大深宽比不小于10:1，最小扇贝粗糙度小于100 nm。
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（1）采购标的名称：环境模拟实验装置舱体及配套设施。（2）主要功能及目标：本标的是“极地与极端环境模拟实验设施预研”项目需建实验装置的组成部分，须配合实验装置的设备系统共同实施。本标的主要内容包括舱体系统、安全保障系统、装置基础以及配套设施的建设。其中，装置舱体具备保温、气密、承压三大功能；安全保障系统用于实验人员实时通讯、安全监测、事故预警、安全防护和应急救援等；装置基础用于承载装置舱体及实验件重量；配套设施为实验室的运行提供配套条件。（3）采购标的数量：1套。（4）交货期：合同签订后150天内设备安装验收合格。（5）采购标的需满足的质量、服务等要求：质保期2年及以上，终身提供维护保养技术服务。
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1. 实现反射光和透射光下多种观 察方式。2. 可以消色差校正及消应力得到 高质量的图像。3. 可以观测明场、暗场、偏光、DIC 四种观察方式。4. 可在物镜的圆偏振光中实现微 分干涉相衬。5. 放大倍数: 50X-1000X 6. 物理像素不低于 2000 万（非像 素移动成像）。
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1. 8 寸基片，沉积 300 循环氧 化锡，以晶圆上至少 9 个均匀 分散点进行膜厚测试，膜厚 非均匀性≤±2% 2. 300℃ 加热 , 温度控制精度 ± 2℃ 3. 300W PEALD 4. 6 路前驱体源系统（4 金属、1 臭氧发生器、1 水） 5. 沉积自动控制系统。
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1. 加工晶圆 大小：2 英寸到 6 英 寸 2. 光刻类型：单面/双面 3. 紫外光波长：240 nm 到 450 nm（UV250 UV300 UV400） 4. 光束不均匀性：<±2.5%@8 英寸 晶圆 5. 线宽(1.2 μm 厚光刻胶)：<0.6 μm (vacuum contact，UV250) 6. 体积重量：1.17 m (W) × 1.00m (D) × 1.86 m (H), 300 kg 7. 操控：手动和全自动可切换。
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1. 设备系统腔室兼容 4/6/8 寸晶 圆，工艺反应温度在-20-100℃ 之间。采用高精度自动三轴机械 手臂; 2. 腔体结构采用标准半导体 ICP 结构设计 ， 即有 布 局 Source RF/Bias RF,真空腔室漏率需小 于 5*10-10Pa.m3/s; 3. 腔体温度控制需有分布，区分晶 圆温度，腔壁温度，晶圆温度需 外接温控 Chiller，温度区间在 -20-100 ℃ , 温度精度小 于 ± 2℃ , 腔壁温度温度区间在 20- 40℃ , 温度控制精度为 ± 1℃; 4. 气体供给模块化，气体气路需大 于 10 路，常规针对 TSV&ALE 的 气体配置，气体需要达到半导体 行业的标准安全。
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4 寸基片，850℃加热，5E-8Torr 真 空度，均匀性优于 1.5%。
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1. 常规形貌测试：轻敲模式，接触 模式，定量相位成像模式等 2. 纳米电学测试：开尔文探针显微 镜（KPFM），静电力显微镜（EFM）， 温度测试（SThM） ，导电测试 （CAFM），磁力显微镜（MFM）。3. 纳米力学测试：快速力谱成像模 块，AM-FM 粘弹性成像模式，接 触共振粘弹性模式，极化转换谱 模式，高次谐波成像模式，损耗 因子显微镜，力曲线，摩擦力测 试。
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1. 机台采用正向下抽气，Plasma 流 场相比侧抽机台更均匀；2. 拥有多种材料沉积解决方案，包 括 SiO2、SiNx、 α-C、 α-Si、 α-SiC、USG、BPSG；3. 高均匀性Heater，为薄膜形成化 学键提供能量，二级匀气设计， 使得工艺气体在进入腔体时分 布的更均匀；可以保证均匀性（8 英寸极差 WiW＜2%，EE3）和较小 的 RI range（＜0.01）；4. 高（13.56MHz）低（400kHz）频 Generator 设计，实现优填充以 及宽泛的应力调节窗口；可调 Gap 通过工艺参数可以调节热台 与匀气盘的距离，提供了均匀性 调节的一个关键参数，并支持高 沉积速率和清洗速率；5. 远程离子源清洗，减少腔室内部 parts 损伤，获得较优的颗粒表 现以及较高的清洗效率。
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1. 设备最大工艺片尺寸：8 寸晶圆 2. 典 型工 艺温度 范 围 ：400℃~ 1150℃ 3. 升温速率：硅衬底 10～100℃ /sec(可编程) 4. 降温速率：硅衬底 10～100℃ /sec(不可编程) 5. 温度控制重复性：± 1℃（在温 度为 1150℃ , 测量 5 片） 6. 温度测量计包括高温计和热电 偶的精确度：± 1℃（ 100℃~ 1150℃) 7. 温度控制均匀性：±5℃（8 寸硅 片，温度:1150℃)。
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1. 测试片 ：100mm 或 150mm、带 10000A 或以上厚度氧化硅片 刻蚀速率 ：>100A/min；2. 片内均匀性 ：<10% (R/2x) 在 100A/min 刻蚀条件下；厚度测量 (≥9 点)，排除边缘 10mm 3. 片间重复性 ：<10% (R/2x)；做 2 次热氧化硅片刻蚀测试均匀性 及重复性。
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购置一套 实现超导相关镍氧化物和量子磁性 材料的高质量单晶生长，为非常规 超导机理和复杂量子磁性的研究提 供材料保障。适用于凝聚态物理、 化学、材料、半导体、光学等多种 学科领域相关的氧化物和金属间化 合物的优质单晶生长。
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购置一套 对拓扑光学腔耦合的单光子源的动 量空间色散关系、反聚束效应和双 光子相干等测量于一体的光谱系 统。实现快速、准确、高效地测试 拓扑腔中同一个单光子源的系列参 数，包括拓扑非平庸态、单光子发 射特性和量子相干特性等。
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购置一套 采购标的需实现的主要功能：金属薄 膜、氧化物、尤其是量子自旋多层膜 及复杂异质结的制备；与手套箱真空 互联，结合原位磁测量系统，实现材 料磁性与自旋特性的实时监控，支持 材料性能的优化，保证其纯净度与可 靠性；实现用于存算的低功耗磁性器 件和自旋电子器件的设计与开发。
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购置一套 本次采购的 60 特斯拉非破坏脉冲磁 场综合物性测量系统的主要功能是 在超强磁场极端条件下测量物质的 综合物性。极端磁场环境可以实现 对物质内部电子的电荷、轨道以及 自旋的调控，进而在理科多领域促 进前沿科学发展。
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购置一套 利用高精密 3D 打印设备实现多尺度 的微粒生成和微流道制备；利用高 精度 PIV 系统，探究粒子扩散在微 流通道与片上的输运特性与流场分 布特征；结合光电流扫描成像系 统，监控与采集微流控样品与电子 器件片上热场的红外特征。
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1. 专业 EBL 设备稳定性操纵性优 于 SEM+PG 的方案；2. 可以加载纳米工程测量&加工 附件（如 EDX/纳米机械手/EBID 等） 3. 最小线宽<=8nm 4. 优越的 SEM 成像测量功能。
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1. 特气柜用于工艺机台提供稳定 的，高纯的特气输送，具有自动 吹扫和安全检测及报警检测。2. 控制采用PLC+触摸屏，程序具有 逻辑连锁功能，防止人员操作失 误的风险。3. 尾气处理设备，对化学气相沉积 （CVD）、分子束外延（MBE）和 原子层沉积（ALD）等工艺过程中 产生的有毒有害气体及气柜钢 瓶更换过程中管道残留有毒有 害气体进行处理的重要设备。尾 气处理设备系统具备安全监控 和自动化控制功能，确保实验过 程中产生的有毒有害尾气处理 达标
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4 寸基片，800℃加热，5E-8Torr 真 空度，均匀性优于 1.5%，双电子枪 550。
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包含通风橱，匀胶机，加热台，烘箱 等光刻辅助设备。
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1. 硅：刻蚀温度:室温；刻蚀速率 ≥ 100nm/min ；气 体 组 分 SF6,CHF3,CF4,O2,Ar ， 备 用 2 路；4 寸片刻蚀均匀性，如+/- 5%@100nm 2. SiO2：刻蚀温度:室温；刻蚀速率 ≥ 30nm/min ；气 体 组 分 SF6,CHF3,CF4,O2,Ar ， 备 用 2 路；4 寸片刻蚀均匀性，如+/- 5%@100nm 3. 金属：刻蚀温度:室温；刻蚀速 率 ≥ 30~50nm/min ；气 体 组 分 SF6,CHF3,CF4,O2,Ar ， Cl2 ， BCl3；4 寸片刻蚀均匀性，如+/- 5%@100nm 4. 三五族：刻蚀温度:室温或高温；刻蚀速率≥100nm/min；气体组 分 SF6,CHF3,CF4,O2,Ar，Cl2， BCl3；4 寸片刻蚀均匀性，如+/- 5%@100nm。
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1. 支持 300mm 晶圆 2. 贴装精度 3 微米 3. 固 定 分 光 镜 的 视 觉 对 位 系 统 （VAS） 4. 支 持 各 种 物 料 装 载 形 式 ( (wafer, waffle pack, Gel- Pak®)。
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4 寸基片，850℃加热，5E-8Torr 真 空度, 2 个钼电子舟。
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1. 空间各方向特征尺寸 100 nm 2. 表面粗糙度小于 5 nm 3. 最大扫描速度 6.25 m/s/透镜 放大倍数 2 4. 单次最大打印体积 50 x 50 x 12 mm3 5. 纳米级精度的空间对齐（xy 方 向 100 nm，z 方向 500 nm）。
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