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英特尔宣布在量子芯片生产方面取得重大里程碑

量子创投界

2022-10-09

导读：英特尔实验室和元器件研究组织展示了，迄今为止业界最高的硅自旋量子比特器件报告的产量和一致性，该器件是在英特尔晶体管研发的，位于俄勒冈州希尔斯伯勒市 Ronler Acres 的Gordon Moore

英特尔实验室和元器件研究组展示了，迄今为止业界最高的硅自旋量子比特器件报告的产量和一致性，该器件是在英特尔晶体管研发的，位于俄勒冈州希尔斯伯勒市 Ronler Acres 的Gordon Moore Park。这一成就代表了英特尔在晶体管制造工艺上扩展和制造量子芯片的一个重要里程碑。

该研究是使用英特尔的第二代硅自旋测试芯片进行的。通过使用英特尔低温探测器（一种在低温（1.7开尔文或-271.45摄氏度）下运行的量子点测试设备）测试设备，该团队分离出 12 个量子点和四个传感器，这一结果代表了业界最大的硅电子自旋器件，在整个 300 毫米硅晶片的每个位置都有一个电子。

今天的硅自旋量子比特通常呈现在一个设备上，而英特尔的研究证明了整个晶圆的成功。这些芯片采用极紫外 (EUV) 光刻技术制造，显示出显着的均匀性，整个晶圆的成品率达到 95%。低温探测器的使用与强大的软件自动化相结合，在最后一个电子上实现了 900 多个单量子点和 400 多个双点，可以在不到24小时内在绝对零度以上一度的温度下进行表征。

与之前的英特尔测试芯片相比，在低温条件下器件的成品率和均匀性都有所提高，这使得英特尔可以使用统计过程控制来识别制造过程中需要优化的区域，这加速了学习，并代表着向商业量子计算机所需的数千甚至数百万量子比特扩展的关键一步。

此外，跨晶圆产量使英特尔能够在单电子状态下自动化跨晶圆数据收集，这使迄今为止最大的单和双量子点演示成为可能，与英特尔之前的测试芯片相比，在低温条件下器件的产量和一致性都有所提高，这代表着向商业化量子计算机所需的数千甚至数百万量子比特扩展的关键一步。

英特尔量子硬件部门主管James Clarke说:“英特尔在使用自己的晶体管制造技术制造硅自旋量子比特方面继续取得进展。获得的高产量和均匀性表明，在英特尔已建立的晶体管过程节点上制造量子芯片是一个合理的策略，是成功的一个有力指标，因为该技术已经成熟，可以商业化。”

Clarke表示:“未来，我们将继续提高这些设备的质量，并开发更大规模的系统，这些步骤将作为基石，帮助我们快速前进。”

相关链接

https://thequantuminsider.com/2022/10/05/intel-says-research-advance-moves-the-company-closer-toward-large-scale-quantum-chip-production/

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