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一、AI仍是所有主线
行业概述：Q3电子仓位创历史新高，AI驱动多板块显著上涨
2025年第三季度，在AI旺盛需求带动下，电子（中信）指数累计上涨44.5%，跑赢沪深300指数26.6%；年初至12月5日累计上涨39.5%，跑赢沪深300指数23.0%。
AI带动PCB、消费电子、半导体等细分板块大幅上扬。年初以来涨幅居前：PCB+114%、消费电子+51%、半导体+40%；半导体内部，设计+51%、设备+45%、材料+33%、制造+33%。
主动权益基金电子行业仓位达23.64%，环比提升5.42个百分点，创历史新高；其中半导体、消费电子、元器件（PCB+被动元件）仓位分别为12.77%、5.42%、4.28%，均明显提升。
截至12月5日，电子行业PE(TTM)为75倍，高于2020年以来75%分位数（73倍）；半导体PE(TTM)达132倍，亦超75%分位数（124倍）；消费电子PE(TTM)为43倍，接近中位值。
海外半导体同步走强：费城半导体指数9月初至12月5日上涨28.7%，跑赢标普500指数22.3%；年初至今累计上涨46.5%，跑赢标普500指数29.7%。
核心个股表现亮眼：存储板块中海力士+213%、美光+170%；设备板块LAM+119%、KLA+93%；数字芯片领域英特尔+102%、英伟达+37%；制造端台积电+38%。
整体业绩：营收与利润同环比双升，盈利能力改善
2025年前三季度，电子行业整体营收同比增长19%，净利润同比增长35%，净利率同比提升1个百分点；毛利率同比持平。
各一级板块均实现营收与利润双增长，面板板块扭亏为盈；PCB、面板、半导体净利率分别同比提升3、2、1.2个百分点；消费电子、被动元件、LED净利率同比持平。
半导体细分中，功率板块受闻泰科技ODM业务剥离影响营收下滑，其余子板块均增长；设计、材料、制造、功率净利率上升，封测持平，设备及零部件因新品验证成本高、费用投入大，净利率承压下行。
消费电子：终端需求持续复苏，端侧AI或成新增长引擎
全球智能手机销量自2023年四季度起同比转正，已连续9个季度复苏。2024年全球/中国销量达12.4/2.9亿部，同比+6.1%/+5.6%；2025年三季度全球销量3.2亿部，同比+2.6%，中国销量约6840万部，同比基本持平。
9月中下旬旗舰新品密集发布，四季度销量有望环比提升。IDC预测2024—2029年全球/中国手机市场CAGR分别为1.5%/0.8%，维持弱复苏态势；若苹果等头部厂商加速落地端侧AI应用，或将缩短用户换机周期，推升销量；但存储涨价传导压力对终端销售的影响仍待观察。
汽车电子：总量温和回暖，电动化与智能化双轮驱动
2024年全球/中国汽车销量为9060/3143万台；预计2025年达9223/3400万台，同比+1.8%/+8.2%；2026年预计继续弱复苏，同比+2.1%/+3.0%。
新能源渗透率持续提升：2025年全球/中国分别为18%/41%，预计2025年将升至20%/47%，电动化趋势明确。
智能化加速普及：2024年中国ADAS渗透率达54.9%，奇瑞、比亚迪、吉利等推动中低端车型智驾“平权”，预计2025年渗透率升至59.5%，其中L2及以上达51.9%。
AI叙事提速：模型能力突破中级阶段，推理应用爆发
当前AI模型能力普遍触及“中级脑力劳动”层级，可支撑逻辑推理、跨模态理解等复杂任务，在代码、法律等专业场景快速落地；推理用量呈现爆发式增长。
OpenAI 2025年7月报告显示，O1模型在6类法律工作流程中可提升律师生产力34%—140%，且在高度专业、深度分析类任务中效果更显著，同时实质性改善工作质量。
二、AI基建缺口扩大
算力结构转型：推理需求成主流，规模达训练5—10倍
算力结构正由训练主导转向推理主导：目前70%以上算力用于集中式训练，未来70%以上将用于分布式推理[2]。
多模态模型、Agentic AI等加速落地，催生实时推理结构性增长；Global Info Research预测，全球AI推理服务器市场规模将从2024年的139.6亿美元增至2030年的393.6亿美元，CAGR达18.9%[2]。
ASIC芯片优势凸显：能效比高、功耗低、成本优
在业务逻辑确定、需求量大的场景下，ASIC相较GPU具备更高能效、更低功耗与显著成本优势[2]。
以谷歌TPUv7与英伟达GB200对比：TPUv7功耗约为GB200的35.5%，能效比则高出26.3%；亚马逊等云商自研ASIC能效表现亦优于英伟达系列芯片[2]。
Broadcom、Marvell等龙头ASIC厂商产品均价约5000—6500美元，较GPU降本50%—60%；定制化特性叠加规模效应，成本优势将持续强化[2]。
先进制程需求激增：5nm/3nm成AI芯片标配，2nm蓄势待发
台积电数据显示：5nm相较7nm逻辑密度提升1.8倍，性能+15%或功耗-30%；3nm在此基础上再提升性能18%或功耗32%，逻辑密度提高60%；2nm规划性能+10%—18%、功耗-36%[2]。
主流AI芯片已全面采用5nm/4nm/3nm工艺：NVIDIA与AMD最新AI芯片均基于台积电3nm制程，并搭载大容量HBM；2nm技术预计将在高端AI芯片领域广泛落地[2]。
CoWoS封装：高密度互连关键路径，支撑多芯集成
CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）是台积电于2012年联合赛灵思推出的2.5D先进封装技术，通过硅中介层（Si Interposer）实现多芯片高密度互连与功耗优化[2]。
其融合TSV（硅通孔）、μBump（微凸块）和RDL（重布线层）三大关键技术，可在有限空间内集成处理器、存储器等多颗芯片，实现小体积、低功耗、高带宽互联，已成为高端AI芯片主流封装方案[2]。
存储供给：扩产审慎，1b/1c节点加速推进
DRAM工艺正由1a向1b、1c快速迭代，预计2026年1b仍为产能主力，1c率先用于HBM4等高端产品[2]。
三星计划2026年以1b DRAM供应超50%第二代SOCAMM模块，并削减30%—40% 1a产能；1c DRAM已签约英伟达，目标月产能20万片[2]。
海力士M15X工厂已启动1b DRAM试产（初始1万片/月），利川园区1c产能拟扩至当前8倍；美光1β/1b DRAM已用于HBM4送样，1γ/1c DRAM正拓展至DDR5、LPDDR5X及GDDR7等全产品线[2]。
三、端侧AI奇点已近
端侧AI加速落地：AI手机与AI眼镜双线并进
端侧AI进入规模化落地临界点，智能手机与智能眼镜成为两大核心载体，相关芯片、算法、OS生态协同演进加速[3]。
（报告来源：中泰证券。本文仅供参考，不代表任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）