高端薄膜沉积设备商：研微半导体A轮融资数亿元，突破瓶颈，填补国内空白

公司的目标是解决高端芯片制造中沉积和刻蚀技术的难题，引领更先进的沉积和刻蚀设备技术，同时与上下游产业链紧密合作齐步向前，助力中国半导体产业的加速腾飞。

随着逻辑芯片制程的持续升级和3D存储芯片对多层高深宽比结构要求的不断提高，ALD 技术凭借其原子层级沉积特点，具有薄膜厚度精确度高、均匀性好、台阶覆盖率极高、沟槽填充性能极佳等优势，特别适合在对薄膜质量和台阶覆盖率有较高要求的领域应用，在 45nm 以下节点、先进封装、3D结构等半导体薄膜沉积环节有大量需求。

研微半导体目前重点突破的tALD、PEALD、低压EPI等细分领域，市场份额主要由美日欧厂商占据，高端薄膜沉积设备进口受限。凭借在金属栅极、高深宽比沟槽填充等细分工艺的突破，研微半导体在最前沿半导体技术竞争中建立优势，实现国产替代。

最新发展

今年11月7日研微半导体自主研发的Spritz 系列首台新材料原子层沉积(tALD)设备出厂交付，并同步完成‌双机‌发运成功交付国内逻辑与存储芯片双领域头部企业。

Spritz 系列原子层沉积(tALD)设备主要用于人工智能（AI）算力芯片的制造需求。在高端算力芯片的制造中，薄膜沉积作为关键环节，直接决定了芯片性能。此次交付的Spritz 系列首台新材料原子层沉积(tALD)设备，在关键工艺环节突破了先进制程国产化瓶颈，填补了国内金属原子层沉积领域空白，满足AI算力芯片对先进工艺的需求。

（来源：研微半导体官网、研微半导体官微、中科创星）

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